電子科技大學唐樟春獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115186445B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210678382.8,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法是由唐樟春;岳澗洲;夏艷君;植良蕊;周向成;劉盼設計研發完成,并于2022-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法,碳膜電阻器的可靠性分析領域,尤其針對碳膜電阻的偽失效壽命計算。將退化初始值的隨機性引入到傳統退化軌跡模型里面,并且計算樣本退化數據的擬合殘差平方和,制定擇優準則令擬合殘差平方和最小為最優退化軌跡模型,隨后求出該退化軌跡模型的偽失效壽命,提升了后續可靠性分析的估計精度。
本發明授權一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法在權利要求書中公布了:1.一種考慮碳膜電阻器退化初值的可靠性評估方法,該方法包含如下: 步驟1:設定碳膜電阻器的正常環境作用為溫度應力,并進行加速退化試驗測量電阻值的變化數據即性能退化數據,每組加速應力水平下有i個電阻器測試樣本,并假定失效閾值為l; 步驟2:建立考慮隨機初值的四種退化軌跡模型,具體步驟如下: 步驟2.1:對碳膜電阻器的退化初始值考慮隨機性,并根據退化數據建立退化軌跡模型如下: 1線性退化:yi=αit+βi 2對數退化:yi=αilnt+βi 3指數退化:yi=βiexpαit 4冪律退化: 式子中,yi為產品的碳膜電阻器性能退化指標,i為碳膜電阻器試驗樣本個數,t為試驗時間,αi為退化模型參數,βi為退化初始值,設服從正態分布βi~Nμ,σ2;于是yi的密度函數分別對應表示為: 1 2 3 4 其中,σ表示退化初值的方差,μ表示化初值的均值; 假設電阻器的失效閾值為l,當性能yi≥l時表示碳膜電阻器失效,則碳膜電阻器的特征壽命T為退化過程第一次達到l的時間,對應為: 1 2 3 4 特征壽命T同樣服從正態分布,則均值為平均壽命,將其作為偽失效壽命值; 步驟3:退化軌跡模型的實時選擇; 計算各個樣本的SSE均值: 上式中:hti表示每個試驗樣本在第i個時間點的真實退化量,h0ti表示將退化軌跡模型對退化數據進行擬合得到未知參數后,再對應hti檢測時間的擬合退化量; 計算出的碳膜電阻器的偽失效壽命,可靠度Rt為: 其中,x為偽失效壽命值; 計算擬合優度Q, Q=2k-2lnL 其中,lnL表示對數似然函數,L為應力水平個數,μ為漂移系數,ξ為擴散系數,yk為第k個應力水平下測量的性能退化量; 將SSE,Rt,Q進行歸一化后,加權相加,相加結果最大值對應的退化軌跡模型,作為實時計算碳膜電阻器可靠性的模型。
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