浙江大學(xué)魏興昌獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115236411B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202210728750.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01R29/08;該發(fā)明授權(quán)一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法是由魏興昌設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-06-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明公開(kāi)了一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法,屬于構(gòu)建電磁輻射源的等效模型領(lǐng)域。該建模方法將結(jié)構(gòu)未知的真實(shí)輻射源電子器件部件等等效為虛擬的電磁偶極子陣列,利用偶極子模擬屏蔽罩內(nèi)真實(shí)輻射源對(duì)其周?chē)碾姶篷詈稀J紫壤脽o(wú)屏蔽罩時(shí)真實(shí)源的輻射電磁場(chǎng)計(jì)算偶極子的位置和初始輻射強(qiáng)度偶極矩,然后利用有屏蔽罩時(shí)真實(shí)源的泄露場(chǎng)調(diào)整偶極子的輻射強(qiáng)度,最后,將偶極子的位置和最終輻射強(qiáng)度、屏蔽罩帶入全波電磁仿真模型中,計(jì)算偶極子與周?chē)鸟詈想妷汗β剩擇詈想妷汗β始礊檎鎸?shí)源在屏蔽罩存在時(shí)對(duì)其周?chē)鸟詈想妷汗β省1景l(fā)明的建模方法解決了傳統(tǒng)偶極子方法無(wú)法準(zhǔn)確預(yù)測(cè)屏蔽罩內(nèi)電磁耦合的難題。
本發(fā)明授權(quán)一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源建模方法,其特征在于,包括: 將屏蔽罩內(nèi)電子器件的輻射源等效為虛擬的電磁偶極子陣列,基于偶極子輻射場(chǎng)構(gòu)建等效模型; 利用無(wú)屏蔽罩時(shí)真實(shí)輻射源的輻射電磁場(chǎng),計(jì)算得到偶極子的位置和初始偶極矩; 固定偶極子的位置和數(shù)量,利用有屏蔽罩時(shí)真實(shí)輻射源的泄露場(chǎng),調(diào)整屏蔽罩內(nèi)偶極子模型的初始偶極矩,得到偶極子的最終偶極矩,包括:根據(jù)所述的偶極子的位置和初始偶極矩,建立虛擬屏蔽罩+偶極子陣列的仿真模型,所述的虛擬屏蔽罩與真實(shí)屏蔽罩形狀、大小相同;掃描有屏蔽罩時(shí)真實(shí)輻射源的真實(shí)外部泄露場(chǎng),將真實(shí)外部泄露場(chǎng)作為虛擬屏蔽罩+偶極子陣列的仿真模型的仿真外部泄露場(chǎng),反推虛擬偶極子的最終偶極矩; 將偶極子的位置、最終偶極矩、屏蔽罩帶入全波電磁仿真模型中,計(jì)算偶極子陣列與屏蔽罩內(nèi)外元件的耦合電壓或功率,所述的耦合電壓功率即為真實(shí)輻射源在屏蔽罩存在時(shí)對(duì)其周?chē)鸟詈想妷夯蚬β省?
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