致真存儲(北京)科技有限公司孫慧巖獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉致真存儲(北京)科技有限公司申請的專利一種柔性磁存儲器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117234B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210941897.2，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權一種柔性磁存儲器及其制備方法是由孫慧巖;秦穎超;商顯濤;盧世陽;劉宏喜;曹凱華;王戈飛設計研發完成，并于2022-08-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種柔性磁存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種柔性磁存儲器及其制備方法，涉及電子領域，復合式柔性襯底層，所述復合式襯底層自下而上，包括：第一透明聚酰亞胺層、第一氧化硅層、第二透明聚酰亞胺層、氮化硅層以及第二氧化硅層。可見，通過使用厚度更大以及密封性更好的復合式柔性襯底層代替現有技術中柔性襯底層，可以增強柔性襯底層的可靠性，進而提升柔性磁存儲器件的可靠性。這樣，第一方面，由于引入的復合式柔性襯底層為疊層結構，使其抗應力強度更大，進而提升柔性磁存儲器件的抗應力能力。第二方面，由于引入密封性更好的結構層，使復合式柔性襯底層抗水氧侵蝕能力更強，進而提升柔性磁存儲器件的可靠性。
本發明授權一種柔性磁存儲器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種柔性磁存儲器，其特征在于，所述磁存儲器包括： 復合式柔性襯底層以及設置在所述復合式柔性襯底層的磁隧道結陣列，所述復合式柔性襯底層自下而上，包括：第一透明聚酰亞胺層、第一氧化硅層、第二透明聚酰亞胺層、氮化硅層以及第二氧化硅層； 所述第二氧化硅層上方設置有第一放置區、第二放置區以及彎折區，所述彎折區設置在所述第一放置區以及所述第二放置區之間，用于實現所述柔性磁存儲器彎折。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人致真存儲(北京)科技有限公司，其通訊地址為：100191 北京市海淀區知春路23號5層504A、504B室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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