西安工業大學鞏蕾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安工業大學申請的專利一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115408848B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211027869.6,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法是由鞏蕾;于潔;陽志強;王利國;楊利紅;李瑤設計研發完成,并于2022-08-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法,涉及遙感、空間目標探測和識別技術領域,包括:基于微面元理論及Muller矩陣,建立目標表面的偏振雙向反射分布函數模型;基于目標表面的微面元傾斜角度概率分布和微面元幾何關系,采用修正的幾何衰減模型,考慮鏡面反射和漫反射,建立基于幾何衰減效應的二分量偏振輻射優化模型;基于二分量偏振輻射優化模型及Stokes矩陣,推導目標紅外線偏振度計算模型。本發明采用修正的幾何衰減模型,基于鏡面反射和漫反射,建立了一種面向偽裝目標的幾何衰減效應的二分量偏振輻射優化模型,并推導出目標紅外線偏振度計算模型,為偽裝及反偽裝、目標識別等軍事領域提供理論支持和技術支撐。
本發明授權一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法在權利要求書中公布了:1.一種面向偽裝目標的二分量偏振輻射模型創建方法,其特征在于,包括: 步驟一、基于微面元理論及Muller矩陣,建立目標表面的偏振雙向反射分布函數模型;具體包括: 基于微面元理論建立雙向反射分布函數: 式中,θi表示入射方向與目標表面法線的夾角,表示入射方位角,θr表示反射方向與目標表面法線的夾角,表示觀測方位角,λ表示入射到目標表面的波長,σ表示目標表面粗糙程度,α表示微面元法線與目標表面法線的夾角,所述微面元法線與目標表面法線的夾角α又被稱為當前微面元的傾斜角; 在雙向反射分布函數的基礎上融合鏡面反射的Muller矩陣,建立目標表面的偏振雙向反射分布函數模型: 式中,表示鏡面反射的Muller矩陣; 步驟二、采用修正的幾何衰減模型,考慮鏡面反射和漫反射,建立面向偽裝目標的二分量偏振輻射優化模型;具體包括以下步驟: 基于目標表面微面元的實際情況,依據角度動態調控獲取陰影效應下反射光的幾何衰減模型和遮蔽效應下反射光的幾何衰減模型; 取陰影效應下反射光的幾何衰減模型和遮蔽效應下反射光的幾何衰減模型之間的最小值,即為修正的幾何衰減模型,具體公式如下: Goptiθi,θr,σ=minGs,Gm 其中,Gs表示陰影效應下反射光的幾何衰減模型,Gm表示遮蔽效應下反射光的幾何衰減模型; 采用修正的幾何衰減模型,考慮鏡面反射和漫反射,建立面向偽裝目標的二分量偏振輻射優化模型,其表達式如下: 式中,ks表示入鏡面反射系數,表示目標表面的漫反射偏振模型即Minnaert模型,kd為漫反射系數,C為待定系數范圍是-1,0,表示漫反射Muller矩陣,其中其余的元素為0; 步驟三、基于二分量偏振輻射優化模型及Stokes矩陣,推導出偽裝目標的紅外線偏振度計算模型。
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