湖北九峰山實驗室向詩力獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種T型柵模板及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116107176B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310195915.1，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權一種T型柵模板及其制備方法和應用是由向詩力;柳俊;彭文斌設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種T型柵模板及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明提供一種T型柵模板及其制備方法和應用，屬于半導體器件技術領域。所述T型柵模板由透明材料制成，包括基板、位于所述基板上的第一凸起結構和位于所述第一凸起結構上的第二凸起結構；所述第一凸起結構的側面覆蓋有遮光層；所述第二凸起結構的側面覆蓋有遮光層。在紫外?納米壓印光刻技術中使用該T型柵模板制備T型柵時，不需要旋涂多層光刻膠就能形成底切結構，使得光刻膠易于剝離，且不會影響T型柵的機械穩定性。該模板可用于T柵結構器件的大批量復制，生產效率極高。
本發明授權一種T型柵模板及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種T型柵模板，其特征在于，所述T型柵模板由透明材料制成；所述T型柵模板包括基板、位于所述基板上的第一凸起結構和位于所述第一凸起結構上的第二凸起結構；所述第一凸起結構的側面覆蓋有遮光層；所述第二凸起結構的側面覆蓋有遮光層；所述T型柵模板的制備方法包括以下步驟：S1、制備全透光T型模板，所述全透光T型模板包括基板、位于所述基板上的第一凸起結構和位于所述第一凸起結構上的第二凸起結構；所述第一凸起結構具有與所述基板的底面平行的平面，所述第二凸起結構具有與所述基板的底面平行的平面； S2、在所述全透光T型模板上沉積遮光層； S3、蝕刻掉所述第一凸起結構的平面上的遮光層、所述第二凸起結構的平面上的遮光層和所述基板的表面上的遮光層，保留所述第一凸起結構的側面上的遮光層和所述第二凸起結構的側面上的遮光層，得到所述T型柵模板。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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