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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽國風(fēng)新材料股份有限公司;安徽國風(fēng)新材料技術(shù)有限公司申請的專利一種低介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116554475B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310528629.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C08G73/10；該發(fā)明授權(quán)一種低介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法是由孫善衛(wèi);潘成;胡程鵬;楊景紅;梅亞平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-05-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低介電聚酰亞胺薄膜，由聚酰胺酸共聚物溶液流延成膜后，經(jīng)過熱亞胺化和雙向拉伸得到；所述聚酰胺酸共聚物溶液是由下述原料在非質(zhì)子強(qiáng)極性溶劑中經(jīng)過聚合反應(yīng)得到：二胺、二酐、含氨基的熱不穩(wěn)定聚合物納米粒。本發(fā)明還公開了上述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法。本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜具有機(jī)械強(qiáng)度高、介電常數(shù)低、耐熱性高、尺寸穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，可應(yīng)用于5G通訊、集成電路、電子、微電子、航空航天等領(lǐng)域。

本發(fā)明授權(quán)一種低介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低介電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，由聚酰胺酸共聚物溶液流延成膜后，經(jīng)過熱亞胺化和雙向拉伸得到；所述聚酰胺酸共聚物溶液是由下述原料在非質(zhì)子強(qiáng)極性溶劑中經(jīng)過聚合反應(yīng)得到：二胺、二酐、含氨基的熱不穩(wěn)定聚合物納米粒； 所述二胺的結(jié)構(gòu)式為式Ⅰ-1所示的結(jié)構(gòu)式； Ⅰ-1； 所述二酐為均苯四甲酸二酐； 所述含氨基的熱不穩(wěn)定聚合物納米粒的平均粒徑為200~500nm； 所述含氨基的熱不穩(wěn)定聚合物納米粒的組分為具有Ⅱ-1或者Ⅱ-5所示結(jié)構(gòu)式的聚合物中的至少一種： Ⅱ-1 ； Ⅱ-5； 其中，所述具有Ⅱ-1或者Ⅱ-5所示結(jié)構(gòu)式的聚合物的相對分子質(zhì)量為10000~20000gmol； 所述含氨基的熱不穩(wěn)定聚合物納米粒的質(zhì)量占二胺、二酐質(zhì)量之和的1~20%。

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