重慶地大工業(yè)技術(shù)研究院有限公司吳川獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉重慶地大工業(yè)技術(shù)研究院有限公司申請(qǐng)的專利一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN116907628B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202310791412.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01H11/06;該發(fā)明授權(quán)一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器是由吳川;劉金潤;潘光智;廖宇豪;鄭普清設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2023-06-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器,包括外殼、滑塊、限位體和多個(gè)側(cè)邊塊;滑塊上部與外殼頂部通過第一彈性件連接,滑塊側(cè)面設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的第一納米材料摩擦層,第一納米材料摩擦層傾斜設(shè)置;限位體固定設(shè)置于滑塊的下方;每一側(cè)邊塊與限位體之間通過第二彈性件連接,每一側(cè)邊塊上端設(shè)有傾斜設(shè)置的第一金屬電極,每一第一金屬電極與一第一納米材料摩擦層貼合設(shè)置,每一側(cè)邊塊的外側(cè)壁設(shè)有第二納米材料摩擦層,外殼內(nèi)壁與每一納米材料摩擦層相對(duì)的位置設(shè)有第二金屬電極。本發(fā)明的有益效果:對(duì)軸向振動(dòng)和橫向振動(dòng)的頻率同時(shí)進(jìn)行測量,限位體、側(cè)邊塊和第二彈性件的配合將軸向振動(dòng)和橫向振動(dòng)隔離,降低整體測量誤差。
本發(fā)明授權(quán)一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器在權(quán)利要求書中公布了:1.一種多方位振動(dòng)識(shí)別式容錯(cuò)型傳感器,其特征在于,包括外殼、以及設(shè)置于所述外殼內(nèi)的滑塊、限位體和多個(gè)側(cè)邊塊; 所述滑塊上部與所述外殼頂部通過第一彈性件連接,所述滑塊側(cè)面環(huán)繞周向設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的第一納米材料摩擦層,所述第一納米材料摩擦層傾斜設(shè)置; 所述限位體固定設(shè)置于所述滑塊的下方; 各所述側(cè)邊塊環(huán)繞所述限位體間隔設(shè)置,每一所述側(cè)邊塊與所述限位體之間通過第二彈性件連接,每一所述側(cè)邊塊上端設(shè)有傾斜設(shè)置的第一金屬電極,每一所述第一金屬電極與一所述第一納米材料摩擦層上下貼合設(shè)置,每一所述側(cè)邊塊的外側(cè)壁設(shè)有第二納米材料摩擦層,所述外殼內(nèi)壁與每一第二納米材料摩擦層相對(duì)的位置設(shè)有第二金屬電極; 在所述外殼產(chǎn)生振動(dòng)時(shí),所述第一金屬電極與所述第一納米材料摩擦層摩擦產(chǎn)生的電信號(hào)的頻率反映軸向振動(dòng)頻率,所述第二金屬電極與所述第二納米材料摩擦層摩擦產(chǎn)生的電信號(hào)的頻率反映橫向振動(dòng)頻率。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人重慶地大工業(yè)技術(shù)研究院有限公司,其通訊地址為:400000 重慶市南岸區(qū)廣福大道12號(hào)行政中心B區(qū)3號(hào)樓13-3;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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