買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN117979720B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202311816227.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/81；該發(fā)明授權(quán)一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)是由孫闊;向勇;王辛瑜;韓婷設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-12-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)，包含多個(gè)陣列排布的電極單元，其中電極單元包括基板、TFT基板、像素電極、提供橫向電場(chǎng)的電極1、電極2，鈣鈦礦材料、封裝結(jié)構(gòu)，為了解決常規(guī)鈣鈦礦器件中暗電流和光生電流混合輸出情況，在TFT器件上表面增加可以提供差異化電場(chǎng)的雙電極結(jié)構(gòu)，可以有效將暗電流和光生電流進(jìn)行分離，提高了X射線探測(cè)器的靈敏度和響應(yīng)。另外增加封裝結(jié)構(gòu)，解決X射線探測(cè)器工作穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種分離光暗電流的鈣鈦礦基X射線直接成像探測(cè)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括N×M個(gè)呈陣列排布的電極單元，所述電極單元包括基板、TFT基板、電極層、鈣鈦礦材料、頂電極、封裝層； 其中，所述基板上表面為TFT基板，TFT基板上表面為電極層； 所述電極層包括像素電極、橫向電場(chǎng)定義結(jié)構(gòu)、電極1、電極2；所述橫向電場(chǎng)定義結(jié)構(gòu)的厚度大于像素電極的厚度；所述橫向電場(chǎng)定義結(jié)構(gòu)在像素電極左右兩側(cè)呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)；電極1、電極2沉積在橫向電場(chǎng)定義結(jié)構(gòu)的上表面或除外側(cè)面和底面的多個(gè)面上，像素電極、電極1、電極2之間兩兩不接觸；電極1和電極2的電壓大于像素電極電壓； 電極層上表面及電極單元的電極層之間為鈣鈦礦材料；所述鈣鈦礦材料上表面為頂電極，所述頂電極上表面為封裝層。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人電子科技大學(xué)，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。