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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海得倍電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223286142U 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202422369521.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該實(shí)用新型一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器是由喬紅瑗;解維祺;曾曉;丁佳卿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-09-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本實(shí)用新型涉及一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器，包括：襯底；外延層，其位于所述襯底上；一個(gè)或多個(gè)單光子雪崩二極管SPAD，其位于所述外延層中，所述單光子雪崩二極管SPAD包括：掩埋層；雪崩區(qū)，其位于所述掩埋層之上；二極管摻雜區(qū)，其位于雪崩區(qū)的上表面；SPAD電極引出區(qū)，其位于所述掩埋層之上且位于所述雪崩區(qū)的單側(cè)、兩側(cè)或四周；SPAD電極接觸區(qū)，其位于所述SPAD電極引出區(qū)的上表面；一個(gè)或多個(gè)硅基CMOS晶體管電路，其位于所述外延層中，其中所述單光子雪崩二極管與所述CMOS晶體管電路位于同一平面，且二者之間電連接。本實(shí)用新型的光傳感器中雪崩二極管和CMOS電路在同一平面，實(shí)現(xiàn)在一個(gè)芯片上完成傳感器的全部功能。

本實(shí)用新型一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種硅基CMOS和雪崩二極管并列集成的光傳感器，其特征在于，包括： 襯底； 外延層，其位于所述襯底上； 一個(gè)或多個(gè)單光子雪崩二極管SPAD，其位于所述外延層中，所述單光子雪崩二極管SPAD包括： 掩埋層； 雪崩區(qū)，其位于所述掩埋層之上； 二極管摻雜區(qū)，其位于雪崩區(qū)的上表面； SPAD電極引出區(qū)，其位于所述掩埋層之上且位于所述雪崩區(qū)的單側(cè)、兩側(cè)或四周； SPAD電極接觸區(qū)，其位于所述SPAD電極引出區(qū)的上表面； 一個(gè)或多個(gè)硅基CMOS晶體管電路，其位于所述外延層中，其中所述單光子雪崩二極管與所述CMOS晶體管電路位于同一平面，且二者之間電連接。

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