深圳市美浦森半導體有限公司滕淵獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市美浦森半導體有限公司申請的專利一種IGBT芯片的元胞區結構和IGBT芯片獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223286135U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422702496.9，技術領域涉及：H10D62/10；該實用新型一種IGBT芯片的元胞區結構和IGBT芯片是由滕淵;劉坤設計研發完成，并于2024-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種IGBT芯片的元胞區結構和IGBT芯片在說明書摘要公布了：本實用新型涉及半導體器件技術，公開一種IGBT芯片的元胞區結構和IGBT芯片，包括：襯底，以及在襯底正面挖空處設置的P阱區；兩個縱向穿過P阱區的Poly柵極，在兩個Poly柵極之間的P阱區上表面挖空處設置的硅化物區；在襯底正面、P阱區、Poly柵極之上設有氧化層，且氧化層還將Poly柵極與襯底、P阱區、硅化物區隔離；在氧化層、硅化物區之上設有介質層，以及縱向穿透介質層與硅化物區接觸的正面金屬層；在襯底背面之下依次設有緩沖層、P型摻雜層和背面金屬層。本實用新型旨在使IGBT芯片具有天然的抗閂鎖特性，以消除相應的閂鎖效應。
本實用新型一種IGBT芯片的元胞區結構和IGBT芯片在權利要求書中公布了：1.一種IGBT芯片的元胞區結構，其特征在于，包括： 襯底，以及在襯底正面挖空處設置的P阱區； 兩個縱向穿過P阱區的Poly柵極，在兩個Poly柵極之間的P阱區上表面挖空處設置的硅化物區； 在襯底正面、P阱區、Poly柵極之上設有氧化層，且氧化層還將Poly柵極與襯底、P阱區、硅化物區隔離； 在氧化層、硅化物區之上設有介質層，以及縱向穿透介質層與硅化物區接觸的正面金屬層； 在襯底背面之下依次設有緩沖層、P型摻雜層和背面金屬層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市美浦森半導體有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市寶安區西鄉街道勞動社區西鄉大道和寶源路交匯處中央大道D座16A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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