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龍圖騰網獲悉上海乾合微電子有限公司申請的專利一種兼容低工作電壓的POR電路獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223284560U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202520030859.0，技術領域涉及：G05F1/56；該實用新型一種兼容低工作電壓的POR電路是由劉剛;趙云;武燕雨;郭天生;趙鵬設計研發完成，并于2025-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種兼容低工作電壓的POR電路在說明書摘要公布了：本實用新型公開了一種兼容低工作電壓的POR電路，包括延遲單元，延遲單元用于在VIO電壓的上電過程中產生一個滯后于VIO電壓變化的跟隨電壓；延遲單元包括第一支路、第二支路和第三支路；第一支路包括依次串聯的第一PMOS管、第一NMOS管和第二電阻；第二支路包括串聯的第一電阻和第二NMOS管；第三支路包括串聯的第二PMOS管和電容單元。本實用新型對MIPIRFFE芯片的POR電路進行了優化，實現VIO＝1.8V和1.2V兼容工作，在較低VIO電壓下能正常提供有效的復位信號，實現硬復位功能。

本實用新型一種兼容低工作電壓的POR電路在權利要求書中公布了：1.一種兼容低工作電壓的POR電路，其特征在于，包括延遲單元，所述延遲單元用于在VIO電壓的上電過程中產生一個滯后于VIO電壓變化的跟隨電壓； 所述延遲單元包括第一支路、第二支路和第三支路；所述第一至第三支路跨接在VIO端和接地端之間； 所述第一支路包括依次串聯的第一PMOS管、第一NMOS管和第二電阻，所述第一PMOS管的源極和VIO端電連接，所述第一PMOS管的漏極和第一NMOS管的漏極電連接，所述第二電阻的一端和第一NMOS管電連接，所述第二電阻的另一端接地； 所述第二支路包括串聯的第一電阻和第二NMOS管；所述第二NMOS管的漏極通過第一電阻和VIO端電連接，所述第二NMOS管的源極接地； 所述第三支路包括串聯的第二PMOS管和電容單元；所述第二PMOS管的源極和VIO端電連接；所述電容單元的一端和第二PMOS管的漏極電連接，所述電容單元的另一端接地； 所述第一NMOS管的柵極和第二NMOS管的漏極電連接；所述第二NMOS管的柵極和第一NMOS管的源極電連接；所述第一PMOS管的柵極和第二PMOS管的柵極電連接至第一PMOS管的漏極； 所述第二PMOS管的漏極電壓為所述延遲單元產生的跟隨電壓。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海乾合微電子有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區環湖西二路888號C樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。