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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119947232B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510429427.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由胡林輝;陳志睿;劉璞方;張強;王珊珊;仇峰設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟：提供一第一型襯底，第一型襯底包括依次堆疊的第一子襯底、埋氧層及第二子襯底；對第一子襯底進(jìn)行背面摻雜形成第二型深注入?yún)^(qū)，第二型深注入?yún)^(qū)一側(cè)形成第二型重?fù)絽^(qū)；在第二子襯底表面形成晶體管器件及介電層，晶體管器件包括形成于第二子襯底表面的第一型外延層，形成于第一型外延層內(nèi)的第二型阱區(qū)，介電層形成于第一型外延層表面；刻蝕介電層、第一型外延層、第二子襯底及埋氧層形成位于第二型阱區(qū)外側(cè)的第二深溝槽，第二深溝槽的底部暴露第二型重?fù)絽^(qū)；在第二深溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱。上述技術(shù)方案能夠增強器件的抗電離輻射性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一第一型襯底，所述第一型襯底包括依次堆疊的第一子襯底、埋氧層及第二子襯底；對所述第一子襯底進(jìn)行背面摻雜形成第二型深注入?yún)^(qū)，且所述第二型深注入?yún)^(qū)一側(cè)形成有第二型重?fù)絽^(qū)；在所述第二子襯底表面形成晶體管器件以及介電層，所述晶體管器件包括形成于所述第二子襯底表面的第一型外延層，形成于所述第一型外延層內(nèi)的第二型阱區(qū)，所述介電層形成于所述第一型外延層的表面；刻蝕所述介電層、所述第一型外延層、所述第二子襯底及所述埋氧層形成位于所述第二型阱區(qū)外側(cè)的第二深溝槽，且所述第二深溝槽的底部暴露所述第二型重?fù)絽^(qū)；在所述第二深溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱；所述晶體管器件還包括形成于所述第二型阱區(qū)表面的漏極，形成于所述第一型外延層內(nèi)并與所述第二型阱區(qū)間隔設(shè)置的第一型體區(qū)，形成于所述第一型體區(qū)表面的源極和晶體管襯底，形成于所述源極與所述漏極之間的柵極，貫穿所述第一型外延層和所述第二子襯底并與所述埋氧層相接觸的第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，且所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述第二型阱區(qū)外側(cè)，其中，所述第一導(dǎo)電柱位于所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)外側(cè)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海積塔半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。