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龍圖騰網獲悉青島思銳智能科技股份有限公司申請的專利一種低晶格失配MISHEMT界面緩沖層及其制備方法和含有其的MISHEMT器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302673B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510781519.6，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種低晶格失配MISHEMT界面緩沖層及其制備方法和含有其的MISHEMT器件是由徐偉東;翟洪濤;聶鑫譽;國政;張叢;劉偉;徐清源;張樹寧設計研發完成，并于2025-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種低晶格失配MISHEMT界面緩沖層及其制備方法和含有其的MISHEMT器件在說明書摘要公布了：本發明公開的一種低晶格失配MISHEMT界面緩沖層及其制備方法和含有其的MISHEMT器件，涉及半導體技術領域；界面緩沖層設置在柵介電層之下，界面緩沖層包括：第一AlGaN層；第二AlGaN層，第二AlGaN層沉積在所述第一AlGaN層的上表面；第三AlGaN層，第三AlGaN層沉積在第二AlGaN層的上表面；AlN層，所述AlN層沉積在所述第三AlGaN層和所述柵介電層之間；所述第一AlGaN層、所述第二AlGaN層和所述第三AlGaN層中Al的含量依次增加。本發明提供的界面緩沖層中各相鄰材料之間的晶格失配度大幅降低，總體晶格失配度遠小于2.4%，且可有效減少能級排布突變引起的深能級缺陷。

本發明授權一種低晶格失配MISHEMT界面緩沖層及其制備方法和含有其的MISHEMT器件在權利要求書中公布了：1.一種含有低晶格失配MISHEMT界面緩沖層的MISHEMT器件，其特征在于，所述器件包括由下至上依次設置的外延襯底層、外延緩沖層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層，以及設置在所述AlGaN勢壘層上的源電極、漏電極和p-GaN層，所述源電極和所述漏電極分別位于所述p-GaN層的左右兩側，所述p-GaN層上設置有界面緩沖層，所述界面緩沖層上表面設置柵介電層，所述柵介電層上設置柵電極；所述界面緩沖層設置在柵介電層之下，所述界面緩沖層包括： 第一AlGaN層； 第二AlGaN層，所述第二AlGaN層沉積在所述第一AlGaN層的上表面； 第三AlGaN層，所述第三AlGaN層沉積在所述第二AlGaN層的上表面； AlN層，所述AlN層沉積在所述第三AlGaN層和所述柵介電層之間； 所述第一AlGaN層、所述第二AlGaN層和所述第三AlGaN層中Al的含量依次增加。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人青島思銳智能科技股份有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市自由貿易試驗區青島片區牧馬山路11號3#樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。