粵芯半導體技術股份有限公司歐陽文森獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉粵芯半導體技術股份有限公司申請的專利一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120376443B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510820427.4，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓是由歐陽文森;王勝林設計研發完成，并于2025-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓在說明書摘要公布了：本申請提供了一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓，方法包括：提供一硅襯底；在所述硅襯底上形成需求阻擋膜層；按照預設圖案，刻蝕出貫穿所述需求阻擋膜層并侵入所述硅襯底的凹槽；所述預設圖案為正方形；在所述凹槽內生長鍺外延層；通過配備有光學顯微鏡的機臺采集凹槽底部的監控圖像，并通過所述監控圖像判斷鍺外延工藝過程中所述凹槽底部的平整度。通過設計一結構圖案并按照該結構圖案對晶圓進行刻蝕，該結構圖案能夠有效表現刻蝕出的凹槽的底部情況，使得凹槽的底部平整度能夠在光學顯微鏡下被有效觀察到；這樣，無需切片處理，通過光學顯微鏡即能夠及時地對凹槽的底部平整度進行監控，節約時間和成本。
本發明授權一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓在權利要求書中公布了：1.一種鍺外延工藝的監控方法，其特征在于，所述監控方法包括： 提供一硅襯底； 在所述硅襯底上形成需求阻擋膜層； 按照預設圖案，刻蝕出貫穿所述需求阻擋膜層并侵入所述硅襯底的凹槽；所述預設圖案為正方形； 在所述凹槽內生長鍺外延層； 通過配備有光學顯微鏡的機臺采集凹槽底部的監控圖像，并通過所述監控圖像判斷鍺外延工藝過程中所述凹槽底部的平整度； 所述預設圖案的邊長范圍為80-100um； 所述需求阻擋膜層包括第一阻擋膜層和第二阻擋膜層；所述第二阻擋膜層位于所述第一阻擋膜層之上；所述第一阻擋膜層的材料為熱氧化制程氧化硅；所述第二阻擋膜層的材料為HDP氧化硅； 通過所述監控圖像判斷鍺外延工藝過程中所述凹槽底部的平整度，包括： 通過所述監控圖像，由人工或圖像處理算法判斷所述凹槽底部的平整度；其中，不平整位置在所述監控圖像表現為存在色差的異常點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人粵芯半導體技術股份有限公司，其通訊地址為：510700 廣東省廣州市黃埔區鳳凰五路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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