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龍圖騰網獲悉北京懷柔實驗室申請的專利結勢壘肖特基二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358757B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510842357.2，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權結勢壘肖特基二極管是由金銳;李翠;葛念念;郝夏敏;洪欣迪;和峰;李哲洋;崔翔設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本結勢壘肖特基二極管在說明書摘要公布了：本發明提供了一種結勢壘肖特基二極管，包括：半導體基體，包括層疊設置的襯底層和外延層，外延層具有第一表面；多個間隔設置的第一摻雜區，每個第一摻雜區位于外延層中，相鄰兩個第一摻雜區之間的外延層為外延部，外延部對應的第一表面包括預定區域，預定區域包括順序鄰接的第一區域、第二區域和第三區域；勢壘結構，包括覆蓋第一區域的第一肖特基接觸部或絕緣介質層、覆蓋第二區域的第二肖特基接觸部和覆蓋第三區域的第三肖特基接觸部；第一區域處的勢壘結構的勢壘高度分別高于第二區域處的勢壘結構的勢壘高度和第三區域處的勢壘結構的勢壘高度。通過本申請，解決了現有技術中的結勢壘肖特基二極管由于PN結的加入導致其導通較差的問題。

本發明授權結勢壘肖特基二極管在權利要求書中公布了：1.一種結勢壘肖特基二極管，其特征在于，包括： 半導體基體，包括層疊設置的襯底層和外延層，所述外延層背離所述襯底層的一側表面為所述半導體基體的第一表面； 沿著第一方向間隔設置的多個第一摻雜區，每個所述第一摻雜區自所述第一表面延伸至所述外延層中，所述第一摻雜區和所述外延層的摻雜類型相反，相鄰兩個所述第一摻雜區之間的外延層為外延部，所述外延部對應的所述第一表面包括預定區域，所述預定區域包括第一區域、第二區域和第三區域，其中，所述第二區域和所述第三區域在所述第一方向上位于所述第一區域的相對兩側； 勢壘結構，包括覆蓋所述第一區域的第一肖特基金屬部或絕緣介質層、覆蓋所述第二區域的第二肖特基金屬部以及覆蓋所述第三區域的第三肖特基金屬部； 在所述勢壘結構包括第一肖特基金屬部的情況下，所述第一肖特基金屬部與所述外延部之間的勢壘高度分別高于所述第二肖特基金屬部與所述外延部之間的勢壘高度和所述第三肖特基金屬部與所述外延部之間的勢壘高度； 在所述勢壘結構包括所述絕緣介質層的情況下，所述絕緣介質層材料與所述外延部之間的勢壘高度分別高于所述第二肖特基金屬部與所述外延部之間的勢壘高度和所述第三肖特基金屬部與所述外延部之間的勢壘高度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。