HOYA株式會社谷口和丈獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉HOYA株式會社申請的專利掩模坯料、轉印用掩模及半導體器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115933308B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310002958.3，技術領域涉及：G03F1/54；該發明授權掩模坯料、轉印用掩模及半導體器件的制造方法是由谷口和丈;宍戶博明設計研發完成，并于2018-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本掩模坯料、轉印用掩模及半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種掩模坯料100，利用由氮化硅系材料形成的單層膜構成的遮光膜2具有對于ArF曝光用光的較高的遮光性能，并且能夠降低遮光膜的圖案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板1上具備遮光膜。遮光膜對于ArF曝光用光的光學濃度為3.0以上。遮光膜對于ArF曝光用光的折射率n及衰減系數k同時滿足以下的式1、式2和式3所限定的關系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。
本發明授權掩模坯料、轉印用掩模及半導體器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種掩模坯料，在透光性基板上具備遮光膜，其特征在于， 所述遮光膜是利用由硅和氮構成的材料形成的單層膜，或者是利用由選自半金屬元素及非金屬元素中的一種以上的元素、硅及氮構成的材料形成的單層膜， 所述遮光膜對于ArF準分子激光的曝光用光的光學濃度為3.0以上， 所述遮光膜的衰減系數k為2.6以下， 所述遮光膜的折射率n為0.8以上， 所述遮光膜對于所述曝光用光的折射率n及衰減系數k同時滿足以下的式1、式2和式3所限定的關系， n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1， n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2， n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人HOYA株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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