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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利用于高級集成電路結構制造的有源柵極上方接觸結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109860187B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811297815.5，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權用于高級集成電路結構制造的有源柵極上方接觸結構是由A·W·楊;T·加尼;A·馬德哈范;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于高級集成電路結構制造的有源柵極上方接觸結構在說明書摘要公布了：本公開的實施例屬于高級集成電路結構制造的領域，并且具體而言屬于10納米節點和更小的集成電路結構制造和所得結構的領域。在示例中，一種集成電路結構包括鰭狀物之上的第一和第二柵極電介質層。第一和第二柵極電極分別在第一和第二柵極電介質層之上，第一和第二柵極電極都具有帶頂表面的絕緣帽。第一電介質間隔體與第一柵極電極的第一側相鄰。溝槽接觸結構在與第一和第二電介質間隔體相鄰的半導體源極或漏極區之上，溝槽接觸結構包括導電結構上的絕緣帽，溝槽接觸結構的絕緣帽具有與第一和第二柵極電極的絕緣帽大體上共面的頂表面。

本發明授權用于高級集成電路結構制造的有源柵極上方接觸結構在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括： 包括硅的鰭狀物，所述鰭狀物具有頂部和側壁； 在所述鰭狀物的頂部之上并與所述鰭狀物的側壁橫向相鄰的第一柵極電介質層和第二柵極電介質層； 第一柵極電極和第二柵極電極，分別在處于所述鰭狀物的頂部之上并與所述鰭狀物的側壁橫向相鄰的所述第一柵極電介質層和所述第二柵極電介質層之上，所述第一柵極電極和所述第二柵極電極都具有第一側和與所述第一側相對的第二側，并且都具有絕緣帽，所述絕緣帽具有頂表面； 與所述第一柵極電極的第一側相鄰的第一電介質間隔體； 與所述第二柵極電極的第二側相鄰的第二電介質間隔體； 與所述第一電介質間隔體和所述第二電介質間隔體相鄰的半導體源極或漏極區； 在與所述第一電介質間隔體和所述第二電介質間隔體相鄰的所述半導體源極或漏極區之上的溝槽接觸結構，所述溝槽接觸結構包括導電結構上的絕緣帽，所述溝槽接觸結構的絕緣帽具有與所述第一柵極電極和所述第二柵極電極的絕緣帽共面的頂表面，并且所述溝槽接觸結構的絕緣帽橫向延伸到所述第一電介質間隔體和所述第二電介質間隔體中的凹陷中并懸置于所述溝槽接觸結構的所述導電結構上方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。