意法半導體有限公司T·貝德卡爾拉茨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體有限公司申請的專利具有靜電放電保護的電子電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110660790B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910575517.6，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權具有靜電放電保護的電子電路是由T·貝德卡爾拉茨;L·德孔蒂;P·加利設計研發完成，并于2019-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有靜電放電保護的電子電路在說明書摘要公布了：一種半導體襯底包括具有上表面的摻雜區。摻雜區可以包括二極管的傳導端子諸如陰極或晶體管的傳導端子諸如漏極。在摻雜區處提供硅化物層。該硅化物層具有僅部分覆蓋摻雜區的上表面的區域的區域。部分區域覆蓋有助于調制集成電路器件的閾值電壓和或漏電流。
本發明授權具有靜電放電保護的電子電路在權利要求書中公布了：1.一種集成電路器件，包括： 半導體襯底； 晶體管，具有在所述半導體襯底的溝道區上在長度方向上延伸的晶體管柵極； 二極管，具有在所述半導體襯底的陽極區上在所述長度方向上延伸的二極管柵極； 其中所述半導體襯底包括位于所述晶體管柵極與所述二極管柵極之間的摻雜區，所述摻雜區在所述長度方向上延伸并且具有上表面； 硅化物層，與所述摻雜區的所述上表面接觸，其中所述硅化物層具有僅部分覆蓋所述摻雜區的所述上表面的區域的區域，所述硅化物層的所述區域具有比所述摻雜區的所述上表面的所述區域的長度短的長度，其中所述硅化物層的所述區域的長度和所述摻雜區的所述上表面的所述區域的長度均平行于所述長度方向延伸； 其中所述摻雜區形成彼此串聯電連接的所述二極管的陰極和所述晶體管的漏極； 其中所述半導體襯底還包括用于所述晶體管的源極區，所述源極區在所述長度方向上延伸并具有上表面；以及 另一硅化物層，與所述源極區的所述上表面接觸，其中所述另一硅化物層具有僅部分覆蓋所述源極區的上表面的區域的區域，所述另一硅化物層的所述區域具有比所述源極區的所述上表面的所述區域的長度短的長度，其中所述另一硅化物層的所述區域的長度和所述源極區的所述上表面的所述區域的長度均平行于所述長度方向延伸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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