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          常州捷佳創精密機械有限公司左國軍獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉常州捷佳創精密機械有限公司申請的專利鍍膜設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113718234B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110984829.X,技術領域涉及:C23C16/50;該發明授權鍍膜設備是由左國軍;梁建軍;楊虎設計研發完成,并于2021-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。

          鍍膜設備在說明書摘要公布了:本發明的實施例提供了一種鍍膜設備,包括:等離子體組件,包括:第一電極組件;第二電極組件,與第一電極組件的間隙形成沉積空間,物料位于沉積空間;熱絲組件,用于利用溫度場使反應物分解。本發明的技術方案中,同時采用等離子體增強化學氣相沉積和熱絲化學氣相沉積工藝對硅片進行鍍膜,熱絲組件能夠減弱離子轟擊的副作用,降低由于離子轟擊導致膜層產生缺陷的可能性,且熱絲組件的無離子轟擊作用有利于提高沉積薄膜的質量,結合第一電極組件和第二電極組件的等離子體增強的作用,薄膜的沉積面積均勻性好,降低了熱絲本身鍍膜的可能性,有利于實現太陽能電池的規模化生產,達到高速沉積微晶硅和納米硅的目的,提高產品質量。

          本發明授權鍍膜設備在權利要求書中公布了:1.一種鍍膜設備,其特征在于,包括: 第一電極組件111; 第二電極組件112,與所述第一電極組件111極性相反,所述第二電極組件112與所述第一電極組件111的間隙形成沉積空間113; 熱絲組件120,設于所述第一電極組件111與所述第二電極組件112之間,或所述熱絲組件120繞設于所述第一電極組件111以及所述第二電極組件112的外周,所述熱絲組件120用于利用溫度場使反應物分解, 其中,物料200位于所述沉積空間113內,所述物料200與所述第一電極組件111平行,且所述物料200與所述第二電極組件112平行; 在所述鍍膜設備為板式結構的情況下,所述熱絲組件120包括: 安裝框架121,設于所述沉積空間113; 加熱絲122,穿設于所述安裝框架121; 承接柱141,所述承接柱141的一端與所述第一電極組件111連接,所述承接柱141的另一端與所述第二電極組件112連接,所述承接柱141上設有限位凸起142,所述安裝框架121與所述限位凸起142連接; 在所述鍍膜設備為筒式結構的情況下,所述鍍膜設備還包括: 筒體130,所述第一電極組件111與所述第二電極組件112均設于所述筒體130內部,所述物料200能夠沿所述筒體130的長度方向運動; 所述加熱絲122的數量為多個,多個所述加熱絲122平行設置;和或 多個所述加熱絲122首尾相連; 所述第一電極組件111包括: 第一連接部1111,設于所述筒體130的內部; 多個第一電極板1112,設于所述第一連接部1111,相鄰兩個所述第一電極板1112之間的間距相同; 所述第二電極組件112包括: 第二連接部1121,設于所述筒體130的內部,所述第二連接部1121與所述第一連接部1111平行設置; 多個第二電極板1122,設于所述第二連接部1121,相鄰兩個所述第二電極板1122之間的間距相同; 所述第二電極板1122與所述第一電極板1112交錯設置,所述第二電極板1122與所述第一電極板1112相互平行,所述第二電極板1122與所述第一電極板1112之間的間隙形成所述沉積空間113; 所述承接柱的數量為四個,四個所述承接柱分別位于所述電極組件的四角位置。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人常州捷佳創精密機械有限公司,其通訊地址為:213133 江蘇省常州市新北區機電工業園寶塔山路9號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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