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          江西省納米技術研究院羅凌獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉江西省納米技術研究院申請的專利一種極細金線焊接方法、焊接結構及其應用獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113871310B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111141304.6,技術領域涉及:H01L21/607;該發明授權一種極細金線焊接方法、焊接結構及其應用是由羅凌;范亞明;劉蘇陽;仲銳方;李淑君;高自立;黃蓉設計研發完成,并于2021-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種極細金線焊接方法、焊接結構及其應用在說明書摘要公布了:本發明公開了一種極細金線焊接方法、焊接結構及其應用。所述焊接方法包括:提供帶有基板焊盤的基板和帶有芯片焊盤的芯片;采用金線在芯片焊盤上種植芯片焊球作為第一焊點,并從第一焊點拉線弧到基板焊盤上焊接第二焊點;其中,所述金線的直徑在16μm以下。本發明中極細金線焊接方法,能夠實現封裝小型化,降低封裝成本。

          本發明授權一種極細金線焊接方法、焊接結構及其應用在權利要求書中公布了:1.一種極細金線焊接方法,其特征在于包括: 提供帶有基板焊盤(3)的基板(1)和帶有芯片焊盤(4)的芯片(2); 采用金線(7)在芯片焊盤(4)上種植芯片焊球(6)作為第一焊點,預先采用金線(7)在基板焊盤(3)上種植基板焊球(5),并從第一焊點拉線弧到基板焊球(5)上形成第二焊點; 采用超聲焊接方式在所述基板焊盤(3)、芯片焊盤(4)上種植基板焊球(5)、芯片焊球(6);所述超聲焊接方式所采用的焊接劈刀的植球過程包括第一階段、第二階段和第三階段; 其中,所述金線(7)的直徑在16μm以下,所述芯片焊盤(4)的焊盤寬度在40μm以下、焊盤間距在50μm以下,所述基板焊盤(3)、芯片焊盤(4)的材質選自鋁、金、鎳金中的任意一種; 若所述基板焊盤(3)、芯片焊盤(4)的材質為鋁,則所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工藝條件包括:第一階段至第三階段均采用壓力模式;其中,所述第一階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為5~20mA、3~5mS、25~45g;所述第二階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為10~30mA、1~3mS、10~30g;所述第三階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為65~110mA、11~13mS、7~10g; 若所述基板焊盤(3)、芯片焊盤(4)的材質為金,則所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工藝條件包括:第一階段至第三階段均采用壓力模式;其中,所述第一階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為0~15mA、3~5mS、20~45g;所述第二階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為25~55mA、5~7mS、5~7g;所述第三階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為40~85mA、7~10mS、7~10g; 若所述基板焊盤(3)、芯片焊盤(4)的材質為鎳金,則所述基板焊球(5)、芯片焊球(6)的植球工藝條件包括:第一階段至第三階段均采用壓力模式;其中,所述第一階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為0~15mA、1~3mS、25~50g;所述第二階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為100~130mA、8~12mS、5~8g;所述第三階段的超聲能量、植球時間、植球壓力分別設定為120~150mA、13~17mS、10~15g。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人江西省納米技術研究院,其通訊地址為:330000 江西省南昌市南昌縣小藍經濟技術開發區羅珠路278號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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