長鑫存儲技術有限公司沈宇桐獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法、晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072717B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111269573.0，技術領域涉及：H10D64/68；該發明授權半導體結構及其制造方法、晶體管及其制造方法是由沈宇桐設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法、晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體結構及其制造方法、晶體管及其制造方法。其中，所述半導體結構用于形成柵極氧化層，所述半導體結構包括：金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料的介電常數大于預設值，所述金屬氧化物層具有相對設置的第一表面和第二表面；硅酸鹽層，所述硅酸鹽層覆蓋所述第一表面和或第二表面，所述硅酸鹽層具有與所述金屬氧化物層相同的金屬元素，所述硅酸鹽層中硅的含量沿第一方向逐漸增加，所述第一方向由所述金屬氧化物層指向遠離所述金屬氧化物層的方向。
本發明授權半導體結構及其制造方法、晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，用于形成柵極氧化層，所述半導體結構包括： 金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料的介電常數大于預設值，所述金屬氧化物層具有相對設置的第一表面和第二表面； 硅酸鹽層，所述硅酸鹽層覆蓋所述第一表面和或第二表面，所述硅酸鹽層具有與所述金屬氧化物層相同的金屬元素，所述硅酸鹽層中硅的含量沿第一方向逐漸增加，所述第一方向由所述金屬氧化物層指向遠離所述金屬氧化物層的方向； 所述硅酸鹽層包括第一硅酸鹽層和第二硅酸鹽層，所述第一硅酸鹽層覆蓋所述第一表面，所述第二硅酸鹽層覆蓋所述第二表面，所述第一硅酸鹽層中硅的含量和所述第二硅酸鹽層中硅的含量均沿所述第一方向逐漸增加。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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