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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州富芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114220917B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111327784.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D1/68；該發(fā)明授權(quán)具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法是由曹文康設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及制備方法。制備方法包括：提供襯底，于襯底上依次形成底電極層和第一介質(zhì)層；在第一掩膜的作用下對第一介質(zhì)層進行光刻刻蝕，以形成位于MIM電容區(qū)的MIM電容器通孔和位于非MIM電容區(qū)的導(dǎo)電插塞通孔；依次形成互連金屬層和第二介質(zhì)層；進行表面平坦化處理以去除MIM電容器通孔及導(dǎo)電插塞外的互連金屬層和第二介質(zhì)層；在第二掩膜的作用下，于MIM電容器通孔的第二介質(zhì)層表面和導(dǎo)電插塞的表面形成上極板金屬層，位于MIM電容器通孔內(nèi)的互連金屬層、第二介質(zhì)層和上極板金屬層構(gòu)成MIM電容器，MIM電容器的上極板金屬層和導(dǎo)電插塞表面的上極板金屬層相互電隔離。本發(fā)明通過減少掩膜的使用可降低生產(chǎn)成本和提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明授權(quán)具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟： 提供襯底，所述襯底上定義有MIM電容區(qū)和非MIM電容區(qū)，于所述襯底上依次形成底電極層和第一介質(zhì)層，所述底電極層和第一介質(zhì)層位于所述MIM電容區(qū)和非MIM電容區(qū)； 在第一掩膜的作用下對所述第一介質(zhì)層進行光刻刻蝕，以于所述第一介質(zhì)層中形成MIM電容器通孔和導(dǎo)電插塞通孔，所述MIM電容器通孔位于所述MIM電容區(qū)，所述導(dǎo)電插塞通孔位于所述非MIM電容區(qū)，且所述MIM電容器通孔和所述導(dǎo)電插塞通孔的底面均顯露出所述底電極層； 依次形成互連金屬層和第二介質(zhì)層，所述互連金屬層位于所述MIM電容器通孔表面且填充所述導(dǎo)電插塞通孔，填充于所述導(dǎo)電插塞通孔內(nèi)的互連金屬層構(gòu)成導(dǎo)電插塞，所述第二介質(zhì)層位于所述互連金屬層的表面；且所述互連金屬層和所述第二介質(zhì)層均未填滿MIM電容器通孔而使MIM電容器通孔底面和側(cè)壁上表面之間仍有高度差而形成臺階； 進行表面平坦化處理以去除所述MIM電容器通孔外及導(dǎo)電插塞外的所述互連金屬層和第二介質(zhì)層； 在第二掩膜的作用下，于所述MIM電容器通孔的第二介質(zhì)層表面和所述導(dǎo)電插塞的表面形成上極板金屬層，位于所述MIM電容器通孔內(nèi)的互連金屬層、第二介質(zhì)層和上極板金屬層構(gòu)成MIM電容器，所述MIM電容器的上極板金屬層和所述導(dǎo)電插塞表面的上極板金屬層相互電隔離。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人杭州富芯半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1301；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。