蘇州納維科技有限公司徐琳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州納維科技有限公司申請的專利氮化鎵外延層及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121611B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111427485.9，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權氮化鎵外延層及其形成方法是由徐琳設計研發完成，并于2021-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本氮化鎵外延層及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氮化鎵外延層及其形成方法。所述氮化鎵外延層的形成方法包括：在同一反應腔室內，先在加熱條件下以氫氣對氮化鎵襯底表面進行清潔處理，之后以惰性氣體等離子體轟擊所述氮化鎵襯底表面；其后，在所述反應腔室內，繼續在所述氮化鎵襯底表面生長形成氮化鎵成核層，再在所述氮化鎵成核層上生長形成致密氮化鎵層，最后在所述致密氮化鎵層上生長形成氮化鎵外延層。本發明可以大幅節約氮化鎵外延層的成膜時間，提高其生產效率，并杜絕氮化鎵襯底轉移過程中的污染，而且可以獲得高質量的氮化鎵外延層，利于氮化鎵材料的大規模生產和推廣應用。
本發明授權氮化鎵外延層及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵外延層的形成方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： S1、將氮化鎵襯底置入反應腔室，并在加熱條件下采用氫氣對所述氮化鎵襯底的表面進行清潔處理； S2、在所述反應腔室內以惰性氣體等離子體轟擊所述氮化鎵襯底表面，以至少清除所述氮化鎵襯底表面的雜質以及在所述氮化鎵襯底的表面缺陷處刻蝕形成凹坑結構，所述凹坑結構的深度和口徑均為納米級別； S3、向所述反應腔室內輸入氮源和鎵源，并控制反應腔室內的溫度為第二溫度、氣壓為第二氣壓，從而在所述氮化鎵襯底表面生長形成氮化鎵成核層，所述氮化鎵成核層呈現為分散的柱狀或者島狀成核材料結構； S4、繼續向所述反應腔室內輸入氮源和鎵源，并控制反應腔室內的溫度為第三溫度、氣壓為第三氣壓，所述第三溫度高于第二溫度、所述第三氣壓高于第二氣壓，從而在所述氮化鎵成核層上生長形成致密氮化鎵層； S5、在所述致密氮化鎵層上生長形成氮化鎵外延層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州納維科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20幢518室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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