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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496038B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210034108.7，技術領域涉及：G11C16/08；該發明授權一種基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器是由趙毅;楊帆;高世凡設計研發完成，并于2022-01-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器。每個模擬內容可尋址存儲器單元存儲至少兩個多比特數據，可以進行多比特輸入數據的范圍內容查找，即查找輸入數據是否處于由存儲的多比特數據決定的數據范圍內；每個模擬內容可尋址存儲器單元包括至少兩個多級閃存晶體管，多級閃存晶體管的連接方式可分為并聯接法和串聯接法；基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器可由并聯接法的單元組成，或由串聯接法的單元組成，可同時對多個多比特數據進行范圍內容查找和內容尋址。本發明采用非易失性閃存，可降低靜態功耗，簡化單元結構；此外，對多級閃存晶體管的創新性應用有助于推動存儲技術的發展，對于存儲器的性能提升具有重要意義。

本發明授權一種基于多級閃存晶體管的模擬內容可尋址存儲器在權利要求書中公布了：1.一種模擬內容可尋址存儲單元，其特征在于，任意一個該單元： 包括至少兩個多級閃存晶體管，至少兩個輸入端口，至少一個輸出端口； 所述多級閃存晶體管的柵極分別連接所述輸入端口； 所有所述多級閃存晶體管的漏極相連后連接所述輸出端口，所有所述多級閃存晶體管的源極相連后接地，這種情況稱為并聯接法； 或者，所述多級閃存晶體管的漏極與相鄰多級閃存晶體管的源極相連，未連接的漏極連接所述輸出端口中的第一類，未連接的源極連接所述輸出端口中的第二類，這種情況稱為串聯接法； 任意一個該單元存儲至少兩個多比特數據，能夠同時進行至少兩個多比特數據和單元輸入數據之間的大小比較； 當所有多比特數據和單元輸入數據之間的大小比較都成立時，和當至少一個多比特數據和單元輸入數據之間的大小比較不成立時，單元的輸出端口表現出不同的電學特性；通過多比特數據和單元輸入數據之間的比較，能夠對單元輸入數據進行范圍內容查找，判斷單元輸入數據是否處于由存儲的多比特數據決定的數據范圍內； 每個模擬內容可尋址存儲單元內存儲一段范圍內的數據；多級閃存晶體管存儲的數據表現為多級閃存晶體管的閾值電壓，決定模擬內容可尋址存儲單元存儲的數據范圍的上限和下限； 模擬內容可尋址存儲單元存儲的上限數據經過一次轉換，轉換后的數據與上限數據的大小呈正相關，之后被存儲在并聯接法中存儲數據范圍上限的多級閃存晶體管中；或者經過一次轉換，轉換后的數據與上限數據的大小呈負相關，之后被存儲在串聯接法中存儲數據范圍上限的多級閃存晶體管中； 模擬內容可尋址存儲單元存儲的下限數據經過一次轉換，轉換后的數據與下限數據的大小呈負相關，之后被存儲在并聯接法中存儲數據范圍下限的多級閃存晶體管中；或者經過一次轉換，轉換后的數據與下限數據的大小呈正相關，之后被存儲在串聯接法中存儲數據范圍下限的多級閃存晶體管中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。