南京大學余林蔚獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京大學申請的專利一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114400248B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210041211.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法是由余林蔚;程銀子;劉宗光;梁逸飛;胡瑞金;王軍轉設計研發完成，并于2022-01-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法，包括以下幾個步驟：通過PECVD于垂直方向交替沉積多層SiO2和Si3N4，形成縱向密排堆疊結構，等離子體刻蝕和酸處理后形成縱向側壁引導凹槽；或者，在襯底上通過電子束曝光及刻蝕獲得橫向平面內密排引導溝槽；將整個襯底樣品沉積非晶硅前驅體，非晶硅前驅體的厚度大于所述引導凹槽或者大于密排引導溝槽的深度以形成更好的前驅體覆蓋；通過等離子體刻蝕技術，將所述引導凹槽或密排引導溝槽的表面、側壁上的非晶硅前驅體刻蝕掉，僅保留引導凹槽或引導溝槽內部的非晶硅前驅體。
本發明授權一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法在權利要求書中公布了：1.一種精確引導生長高均一性直徑納米線的方法，其特征在于：包括以下幾個步驟： 第一步，基材層的形成：通過PECVD于垂直方向交替沉積多層SiO2和Si3N4，形成縱向密排堆疊的基材結構，等離子體刻蝕和酸處理后形成縱向側壁引導凹槽； 或者，在SiO2或者Si襯底上通過電子束曝光及刻蝕獲得橫向平面內密排引導溝槽； 第二步，催化金屬的定義：利用電子束曝光或者光刻技術在縱向側壁引導凹槽或者密排引導溝槽的一端定義催化劑金屬的條帶區域，并蒸鍍催化金屬； 第三步，氫氣等離子體處理縮球：利用氫氣等離子體刻蝕方式使催化金屬顆粒縮球； 第四步，非晶前驅體的淀積：將整個襯底樣品沉積非晶硅前驅體，所述非晶硅前驅體的厚度大于所述引導凹槽或者大于所述密排引導溝槽的深度以形成更好的前驅體覆蓋； 第五步，非晶前驅體的處理：通過等離子體刻蝕技術，刻蝕除引導凹槽或密排引導溝槽內部之外的非晶硅前驅體層； 第六步，納米線的生長：加熱處理樣品，驅動金屬催化劑顆粒以結晶生長出精確引導的高均一性直徑的晶硅納米線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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