南京航空航天大學(xué)韓琦男獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京航空航天大學(xué)申請的專利含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法、裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114464268B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210093849.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G16C20/30;該發(fā)明授權(quán)含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法、裝置是由韓琦男;王威;崔海濤;方健文;張宏建設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-01-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法、裝置在說明書摘要公布了:本申請涉及一種含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法、裝置,方法包括:對含有小角晶界的雙晶榫頭試件進(jìn)行EBSD表征,由EBSD結(jié)果利用Dream3d生成inp文件,通過Matlab為inp文件設(shè)置晶粒編號、晶體取向等參數(shù),將輸入文件導(dǎo)入ABAQUS得到ABAQUS有限元模型,并設(shè)置載荷、邊界條件、分析步、摩擦和接觸條件后,與基于晶體塑性本構(gòu)關(guān)系編寫的Fortran程序進(jìn)行文件關(guān)聯(lián),并模擬得到應(yīng)力、應(yīng)變、累積塑性應(yīng)變結(jié)果。由此,通過建立與實(shí)際試件晶體微結(jié)構(gòu)一致的有限元模型,并將晶體塑性本構(gòu)關(guān)系應(yīng)用到各個(gè)晶粒,將每個(gè)晶粒的真實(shí)晶體取向賦予每個(gè)晶粒,實(shí)現(xiàn)了對微動(dòng)疲勞試件的晶體塑性模擬。
本發(fā)明授權(quán)含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法、裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種含小角晶界的雙晶合金微動(dòng)疲勞晶體塑性模擬方法,其特征在于,包括以下步驟: 將晶體塑性本構(gòu)關(guān)系編寫為Fortran程序; 對含有小角晶界的雙晶榫頭試件進(jìn)行EBSD表征,得到所述雙晶榫頭試件的EBSD表征數(shù)據(jù),并將所述EBSD表征數(shù)據(jù)保存為ctf文件; 將所述ctf文件導(dǎo)入到自編的Dream3d腳本,生成inp文件; 將所述inp文件和所述ctf文件導(dǎo)入到預(yù)設(shè)的Matlab腳本運(yùn)行,根據(jù)所述ctf文件和所述晶體塑性本構(gòu)關(guān)系對所述EBSD表征數(shù)據(jù)換算,為所述inp文件設(shè)置晶粒編號和晶體取向參數(shù); 將所述晶粒編號和所述晶體取向參數(shù)的inp文件導(dǎo)入ABAQUS中,得到ABAQUS有限元模型,并為所述ABAQUS有限元模型設(shè)置載荷、邊界條件、分析步、摩擦和接觸條件后,與所述Fortran程序進(jìn)行文件關(guān)聯(lián),模擬得到應(yīng)力、應(yīng)變、累積塑性應(yīng)變結(jié)果; 其中,所述對含有小角晶界的雙晶榫頭試件進(jìn)行EBSD表征,得到所述雙晶榫頭試件的EBSD表征數(shù)據(jù),并將所述EBSD表征數(shù)據(jù)保存為ctf文件,包括:對含有小角晶界的雙晶榫頭試件進(jìn)行拋光,開展電子背散射衍射EBSD觀測,獲得所述雙晶榫頭試件的晶體取向數(shù)據(jù)、雙晶的每個(gè)晶粒的形貌數(shù)據(jù)和小角晶界位置數(shù)據(jù);將所述晶體取向數(shù)據(jù)、所述雙晶的每個(gè)晶粒的形貌數(shù)據(jù)和所述小角晶界位置數(shù)據(jù)保存為所述ctf格式文件。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人南京航空航天大學(xué),其通訊地址為:210016 江蘇省南京市御道街29號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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