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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114824069B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210317307.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/00；該發(fā)明授權(quán)一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法是由任豪;曹海潮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法。本發(fā)明的制作方法包括：在表面有氧化硅或氮化硅的襯底上制備下電極，通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等工藝制備較厚的隔離層氧化硅或氮化硅，再對(duì)隔離層氧化硅或氮化硅層進(jìn)行刻蝕以形成井區(qū)，然后通過磁控濺射、電子束蒸發(fā)等工藝沉積阻變層氧化物，沉積上電極并通過濕法腐蝕進(jìn)行圖形化，最后通過濕法或干法腐蝕去除部分隔離層以暴露下電極。本發(fā)明通過平面微納加工工藝，降低了工藝復(fù)雜度，同時(shí)，井區(qū)的存在使上下電極在阻變功能區(qū)以外形成良好的電學(xué)隔離，還能精確控制阻變層厚度。從而能夠?qū)崿F(xiàn)極低的工作電壓與很快的切換速度，可廣泛適用于新型非易失性存儲(chǔ)器CBRAM的加工制造。

本發(fā)明授權(quán)一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高速低電壓導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件的制作方法，其特征在于，采用平面微納加工制作，具體包括如下步驟： 步驟1：在硅片襯底上制作一層絕緣層； 步驟2：在步驟1所得的具有絕緣層的硅片襯底上制作下電極； 步驟3：在下電極上沉積絕緣層； 步驟4：涂膠、光刻和顯影，暴露刻蝕區(qū)，通過濕法刻蝕或干法刻蝕對(duì)絕緣層進(jìn)行刻蝕，完全刻蝕至下電極以形成井區(qū)； 步驟5：去除步驟4中的光刻膠后，沉積一層納米級(jí)厚度的的氧化硅、氧化鋁或氧化鉿層作為阻變層； 步驟6：在步驟5所得的樣品上制作上電極； 步驟7：涂膠、光刻和顯影，暴露刻蝕區(qū)，通過濕法刻蝕或干法刻蝕對(duì)步驟3中的絕緣層進(jìn)行刻蝕，完全刻蝕至下電極，使得下電極暴露出來，從而得到導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件； 步驟8：將限制電流的偏置電路與制作出來的導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器件進(jìn)行連接，從而限制流過導(dǎo)電橋式阻變存儲(chǔ)器的電流；所述限制電流的偏執(zhí)電路為單個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的限流電路或?yàn)槎鄠€(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的限流電路。

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