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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京環(huán)境特性研究所申請的專利一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115832720B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211644031.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01Q17/00；該發(fā)明授權(quán)一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)是由周昊天;杜雪梅;任重儒;田江曉;車永星;易書航;盧瀾;王登琦;張福祥;林博宇設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-12-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及吸波結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)。該吸波結(jié)構(gòu)包括第一阻抗層、第一泡沫層、第二阻抗層、第二泡沫層、第三阻抗層、第三泡沫層和金屬層；第一阻抗層由呈正方形的第一周期單元組成，第一周期單元包括第一貼片型結(jié)構(gòu)，第一貼片型結(jié)構(gòu)包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)；第二阻抗層由呈正方形的第二周期單元組成，第二周期單元包括第二貼片型結(jié)構(gòu)，第二貼片型結(jié)構(gòu)包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)；第三阻抗層由呈正方形的第三周期單元組成，第三周期單元包括第三貼片型結(jié)構(gòu)，第三貼片型結(jié)構(gòu)包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種可在超寬頻實(shí)現(xiàn)?20dB以上吸波效果的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種超寬頻高性能吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿厚度方向依次包括第一阻抗層（1）、第一泡沫層（2）、第二阻抗層（3）、第二泡沫層（4）、第三阻抗層（5）、第三泡沫層（6）和金屬層（7）； 所述第一阻抗層（1）由呈正方形的第一周期單元（11）沿其兩個臨邊方向周期排列組成，排列的最小周期為所述第一周期單元（11）的邊長，所述第一周期單元（11）包括正方形的電磁膜和設(shè)置在所述電磁膜上的第一貼片型結(jié)構(gòu)（111），所述第一貼片型結(jié)構(gòu)（111）包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)； 所述第二阻抗層（3）由呈正方形的第二周期單元（31）沿其兩個臨邊方向周期排列組成，排列的最小周期為所述第二周期單元（31）的邊長，所述第二周期單元（31）包括正方形的電磁膜和設(shè)置在所述電磁膜上的第二貼片型結(jié)構(gòu)（311），所述第二貼片型結(jié)構(gòu)（311）包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)； 所述第三阻抗層（5）由呈正方形的第三周期單元（51）沿其兩個臨邊方向周期排列組成，排列的最小周期為所述第三周期單元（51）的邊長，所述第三周期單元（51）包括正方形的電磁膜和設(shè)置在所述電磁膜上的第三貼片型結(jié)構(gòu)（511），所述第三貼片型結(jié)構(gòu)（511）包括正方形環(huán)狀的貼片型結(jié)構(gòu)； 所述第一貼片型結(jié)構(gòu)（111）、所述第二貼片型結(jié)構(gòu)（311）和所述第三貼片型結(jié)構(gòu)（511）的環(huán)寬依次減小； 所述第一周期單元（11）的邊長包括5mm，所述第一貼片型結(jié)構(gòu)（111）的外邊長為4.7~4.9mm，所述第一貼片型結(jié)構(gòu)（111）的環(huán)寬為1~2mm； 所述第二周期單元（31）的邊長包括5mm，所述第二貼片型結(jié)構(gòu)（311）的外邊長為3.5~4.5mm，所述第二貼片型結(jié)構(gòu)（311）的環(huán)寬為0.5~1mm； 所述第三周期單元（51）的邊長包括5mm，所述第三貼片型結(jié)構(gòu)（511）的外邊長為3~4mm，所述第三貼片型結(jié)構(gòu)（511）的環(huán)寬為0.1~0.3mm； 所述第一泡沫層（2）的厚度為0.8~1.5mm； 所述第二泡沫層（4）的厚度為0.8~1.5mm； 所述第三泡沫層（6）的厚度為1.5~2.5mm； 所述第一周期單元（11）的電磁膜面電阻為150-250Ωsq； 所述第二周期單元（31）的電磁膜面電阻為150-250Ωsq； 所述第三周期單元（51）的電磁膜面電阻為250-350Ωsq。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京環(huán)境特性研究所，其通訊地址為：100854 北京市海淀區(qū)永定路50號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。