杭州富芯半導體有限公司蘇文華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州富芯半導體有限公司申請的專利一種離子輸出量監控設備、監測方法及離子注入設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115968093B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211737032.0,技術領域涉及:H05H1/46;該發明授權一種離子輸出量監控設備、監測方法及離子注入設備是由蘇文華;李振雨設計研發完成,并于2022-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種離子輸出量監控設備、監測方法及離子注入設備在說明書摘要公布了:本申請公開了一種離子輸出量監控設備、離子注入設備、離子輸出量監測方法及電子設備,在等離子發生裝置與電子束監測裝置之間設置磁力發生裝置,磁力發生裝置所產生的磁感線方向與負電子的運動方向垂直,用于將未與電子束反應的負電子進行偏轉,以使得未與電子束反應的負電子遠離等離子發生裝置的電子輸出端,其中,所述負電子由所述等離子發生裝置所產生。由此,在避免對電子束路徑產生影響的基礎上,利用弱磁力,對負電子實現偏轉,有效的解決負電子回流問題。同時,磁力發生裝置設置在機臺空置區域,可以實現方便無障礙的安裝,對現有機臺的整體運行無影響。
本發明授權一種離子輸出量監控設備、監測方法及離子注入設備在權利要求書中公布了:1.一種離子輸出量監控設備,其特征在于,所述設備包括: 磁力發生裝置,設置于等離子發生裝置與電子束監測裝置之間,所述磁力發生裝置所產生的磁感線方向與負電子的運動方向垂直,用于將未與電子束反應的所述負電子進行偏轉,以使得未與電子束反應的所述負電子遠離所述等離子發生裝置的電子輸出端,所述負電子由所述等離子發生裝置所產生; 所述磁力發生裝置包括: 兩個磁極不同的磁體; 石墨,設置于兩個所述磁體之間; 所述磁力發生裝置的磁感應強度為B,2KD<B<1000KD,其中,K=mq*V=V*5.7*10-12,m表示負電子質量,q表示負電子電荷,V表示負電子的速度,D表示所述磁力發生裝置的寬度。
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