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龍圖騰網獲悉重慶大學申請的專利一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116040577B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310039782.9，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法是由楊慶;柯錕;廖偉;邱震輝設計研發完成，并于2023-01-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法，對SOI片雙面熱氧化；在SOI片正面的絕緣層上制備粘接層和下驅動電極層；在下驅動電極層上制備壓電材料層；在壓電材料層上制備上驅動電極層，并剝離上驅動電極層；刻蝕壓電材料層；刻蝕下驅動電極層和粘接層；刻蝕SOI片正面的絕緣層；在SOI片正面的頂硅層上制備感應電極焊盤；刻蝕SOI片正面的頂硅層；在SOI片正面旋涂保護材料；去除SOI片背面的絕緣層，并刻蝕SOI片的底硅層和埋氧層；去除SOI片正面的保護材料，得到MEMS電場傳感器。本發明制備工藝簡單、成本低，利于大規模生產。

本發明授權一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種制備壓電驅動MEMS電場傳感器的工藝方法，其特征在于，所述方法包括： S1，對SOI片雙面熱氧化，在所述SOI片正面和背面分別形成一層SiO2的絕緣層； S2，在所述SOI片正面的所述絕緣層上制備粘接層和下驅動電極層； S3，在所述下驅動電極層上制備壓電材料層； S4，在所述壓電材料層上制備上驅動電極層，并采用1號光刻板剝離所述上驅動電極層； S5，采用2號光刻板刻蝕所述壓電材料層； S6，采用3號光刻板刻蝕所述下驅動電極層和所述粘接層； S7，采用4號光刻板刻蝕所述SOI片正面的所述絕緣層； S8，采用5號光刻板在所述SOI片正面的頂硅層上制備感應電極焊盤，通過磁控濺射法和揭開-剝離法制備得到所述感應電極焊盤，其中，所述感應電極焊盤使用Cr和Au，Cr厚度為50nm，Au厚度為300nm； S9，采用6號光刻板刻蝕所述SOI片正面的頂硅層； S10，在所述SOI片正面旋涂保護材料； S11，去除所述SOI片背面的所述絕緣層，并采用7號光刻板刻蝕所述SOI片的底硅層和埋氧層，通過反應離子刻蝕法去除所述SOI片背面的所述絕緣層，在去除過程中通入CHF3氣體；并通過反應離子刻蝕法刻蝕所述SOI片的底硅層和埋氧層，在刻蝕過程中通入CHF3氣體； S12，去除所述SOI片正面的所述保護材料，得到MEMS電場傳感器，通過反應離子刻蝕法去除所述SOI片正面的所述保護材料，去除過程中通入O2氣體。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶大學，其通訊地址為：400044 重慶市沙坪壩區沙正街174號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。