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龍圖騰網獲悉中冶建筑研究總院(深圳)有限公司申請的專利一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116026785B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310151842.6，技術領域涉及：G01N21/359；該發明授權一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法是由王罡;陳明晹;閔紅光設計研發完成，并于2023-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法，本發明通過砼碳化本征及表征檢測，近紅外高光譜成像數據預處理，獲得多個設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊在不同碳化周期下的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據，進而建立硅酸鹽砼碳化?近紅外光譜數據庫；進而建立硅酸鹽砼標準試塊表面碳化表征與碳化深度本征之間的映射模型，利用映射模型以及現場獲取的近紅外高光譜成像數據可推算出構件的碳化深度。本發明不需要接觸構件，也不需要對構件進行破損檢測，通過簡單的近紅外高光譜成像拍攝就可以快速而全面掌握構件乃至結構的砼碳化狀況。

本發明授權一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種基于近紅外高光譜成像的碳化深度檢測方法，其特征在于，包括如下步驟： S10.砼碳化本征及表征檢測 選定多塊設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊進行碳化深度測試和近紅外高光譜成像；進而獲得設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊的碳化深度數據，以及碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據； S20.近紅外高光譜成像數據預處理 對采集的近紅外高光譜成像數據進行大氣校正、混合噪聲校正以及數據歸一化處理； S30.將硅酸鹽砼標準試塊放入快速老化試驗箱內，加快硅酸鹽砼標準試塊的碳化速度； 設定碳化周期后取出，重復步驟S10-S20，獲得硅酸鹽砼標準試塊的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據； S40.再次將硅酸鹽砼標準試塊放入快速老化試驗箱內，加快硅酸鹽砼標準試塊的碳化速度；設定碳化周期后取出，重復步驟S10-S20，獲得硅酸鹽砼標準試塊的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據； S50.重復步驟S40多次，進而獲得多個不同碳化周期下硅酸鹽砼標準試塊的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據； S60.調換不同設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊，重復步驟S10-S50，進而獲得不同設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊在多個不同碳化周期下的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據； S70.重復步驟S60，進而獲得多個設定強度等級的硅酸鹽砼標準試塊在不同碳化周期下的碳化深度數據，以及預處理后的碳化深度數據對應的硅酸鹽砼標準試塊的表面近紅外高光譜成像數據，進而建立硅酸鹽砼碳化-近紅外光譜數據庫； S80.建立硅酸鹽砼標準試塊表面碳化表征與碳化深度本征之間的映射模型，通過硅酸鹽砼構件表面近紅外高光譜成像數據反映的碳化特征離子光譜峰值，進而推算出硅酸鹽砼構件碳化深度； 采用基于注意力機制的卷積神經網絡，將試驗數據按照3：7比例分為學習數據集和訓練數據集進行深度學習，并進行交叉驗證測試，確保模型精度不低于95%; S90.在混凝土結構工程進行現場測試時，直接對構件的砼表面進行近紅外高光譜成像拍攝，獲取砼表面的光譜數據，將光譜數據帶入映射模型，推算出構件的碳化深度; 步驟S40中，分別采用波長為1875nm、1454nm、1380nm、1135nm和942nm的近紅外光譜對試塊進行近紅外高光譜成像，識別試塊中關于水分濃度的光譜數據；分別采用波長為1400nm、2200nm、2300nm的近紅外光譜對試塊進行近紅外高光譜成像，識別試塊中關于氫氧根離子濃度的光譜數據；分別采用波長為2550nm、2350nm、2160nm、2000nm、1900nm的近紅外光譜對試塊進行近紅外高光譜成像，識別試塊中關于碳酸根濃度的光譜數據； 以及，在步驟S90中，分別采用波長為1875nm、1454nm、1380nm、1135nm和942nm的近紅外光譜對過構件砼表面進行近紅外高光譜成像，識別構件中關于水分濃度的光譜數據;以及，分別采用波長為1400nm、2200nm、2300nm的近紅外光譜對構件砼表面進行近紅外高光譜成像，識別構件中關于氫氧根離子濃度的光譜數據;分別采用波長為2550nm、2350nm、2160nm、2000nm、1900nm的近紅外光譜對構件砼表面進行近紅外高光譜成像，識別過構件中關于碳酸根濃度的光譜數據。

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