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龍圖騰網獲悉池州市正盛半導體有限公司申請的專利引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119724787B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411918989.4，技術領域涉及：H01C7/12；該發明授權引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件是由鄭思海;朱東暉;顏聰設計研發完成，并于2024-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件，包括上殼體、下殼體和MOV芯片主體，上殼體和下殼體連接內部形成有密閉的空腔，MOV芯片主體設置在空腔內部，MOV芯片主體兩側分別設置有電極端，下殼體下端對應兩組電極端分別開設有兩組貼片安裝槽，貼片安裝槽內部安裝有貼片，兩組貼片分別依次通過支腳、電極引線與對應的電極端連接，MOV芯片主體外側依次設置有第一導熱層、微流道散熱器和第二導熱層，第二導熱層遠離微流道散熱器的一側與上殼體和下殼體連接內部形成的空腔內壁連接。本發明通過第一導熱層將MOV芯片主體上產生的熱量傳遞給微流道散熱器，通過微流道散熱器內部設置的微流道將熱量迅速從熱源帶走，避免局部過熱造成芯片損壞。

本發明授權引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件在權利要求書中公布了：1.一種引線框架表面貼裝金屬氧化物變阻器器件，其特征在于：包括上殼體1、下殼體2和MOV芯片主體4，所述上殼體1和所述下殼體2連接內部形成有密閉的空腔，所述MOV芯片主體4設置在所述空腔內部，所述MOV芯片主體4兩側分別設置有電極端，所述下殼體2下端對應兩組電極端分別開設有兩組貼片安裝槽，所述貼片安裝槽內部安裝有貼片6，兩組所述貼片6分別依次通過支腳3、電極引線5與對應的電極端連接，所述MOV芯片主體4外側依次設置有第一導熱層7、微流道散熱器14和第二導熱層9，所述第二導熱層9遠離所述微流道散熱器14的一側與所述上殼體1和所述下殼體2連接內部形成的空腔內壁連接； 所述上殼體1和所述下殼體2連接形成的空腔內部設有氣體膨脹腔12，所述膨脹腔12內部設有緩沖層安裝腔，所述緩沖層安裝腔內部設有緩沖層11，所述緩沖層11上端設有擠壓板13，所述擠壓板13與所述緩沖層安裝腔的內壁可滑動連接； 所述緩沖層安裝腔位于所述微流道散熱器14的上端，所述微流道散熱器14靠近所述緩沖層安裝腔一側的微流道15側壁開設有多組通孔16，所述擠壓板13對應所述通孔16位置處安裝有微凸柱18，所述微凸柱18遠離所述擠壓板13的一端穿過所述緩沖層11設置在所述通孔16的上端。

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