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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請的專利一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料及其生長方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120174479B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510654400.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B25/18；該發(fā)明授權(quán)一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料及其生長方法是由李志聰;楊世凌;張逸韻;姚然;楊華;伊?xí)匝?王軍喜設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料及其生長方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料及其生長方法。本發(fā)明提供的基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料生長方法，通過GaN成核層生長，在藍(lán)寶石襯底或硅襯底的表面生長GaN緩沖層，然后高溫重結(jié)晶，形成孤立島狀GaN成核層；再進(jìn)行復(fù)合緩沖層生長，GaN成核層在氧氣參與下進(jìn)行高溫退火，分立島狀結(jié)構(gòu)的表面被氧化，最后進(jìn)行氧化鎵生長，在結(jié)構(gòu)化復(fù)合緩沖層結(jié)構(gòu)的表面生長氧化鎵成核層及外延薄膜的生長，通過優(yōu)化的氧化鎵半導(dǎo)體材料生長方法，能夠有效降低晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異，顯著減少位錯(cuò)缺陷，獲得了高質(zhì)量的氧化鎵外延層，提升了材料的晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量和性能。

本發(fā)明授權(quán)一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料及其生長方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于結(jié)構(gòu)化襯底的氧化鎵半導(dǎo)體材料生長方法，其特征在于，包括： 1）GaN成核層生長：在藍(lán)寶石襯底或硅襯底的表面生長GaN緩沖層，然后高溫重結(jié)晶，得到孤立島狀的GaN成核層；步驟1）中，所述GaN成核層中GaN晶核結(jié)構(gòu)顆粒的水平方向?yàn)?.1-5um，垂直方向?yàn)?.1-1um； 2）復(fù)合緩沖層制備：將所述GaN成核層在氧氣參與下進(jìn)行高溫退火處理，分立島狀結(jié)構(gòu)的表面被氧化，得到結(jié)構(gòu)化復(fù)合緩沖層結(jié)構(gòu)；步驟2）中，所述結(jié)構(gòu)化復(fù)合緩沖層的表面為被氧化的GaN層；所述被氧化的GaN層的厚度為1-100nm； 3）氧化鎵成核層生長：在所述結(jié)構(gòu)化復(fù)合緩沖層結(jié)構(gòu)的表面生長氧化鎵成核層； 4）氧化鎵外延層生長：在所述氧化鎵成核層的表面生長氧化鎵外延層。

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