臺灣積體電路制造股份有限公司鄭宇彣獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110224018B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810488000.9，技術領域涉及：H10D62/13；該發明授權半導體結構及其形成方法是由鄭宇彣;盧煒業;王毓萱;李弘貿;蔡彥明;陳泓旭;林威戎;張志維;蔡明興;林圣軒;鄭雅憶;林正堂設計研發完成，并于2018-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例公開一種半導體結構及其形成方法。在一實施例中，半導體結構包括具有源極漏極區的主動區于基板上；介電層，位于主動區上并具有對準源極漏極區的側壁的側壁；以及導電結構，沿著介電層的側壁至源極漏極區。源極漏極區具有側壁與自源極漏極區的側壁橫向延伸的橫向表面，且源極漏極區還包含自源極漏極區的側壁橫向延伸至源極漏極區中的氮化區。導電結構包含沿著源極漏極區的橫向表面并沿著源極漏極區的側壁的至少一部分的硅化物區。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，包括： 形成一源極漏極區于一基板上的一主動區中； 形成一介電層于該主動區上； 形成一開口穿過該介電層，該開口延伸至該源極漏極區中以形成一溝槽于該源極漏極區中，且一下表面與一側壁至少部分地定義該溝槽； 形成一硅化物區于該溝槽的該下表面； 經由該溝槽的該側壁氮化該源極漏極區的至少一部分；以及 將導電材料填入該開口。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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