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龍圖騰網獲悉東京毅力科創株式會社申請的專利等離子體蝕刻裝置和等離子體蝕刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111755357B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010200969.9，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權等離子體蝕刻裝置和等離子體蝕刻方法是由田中聰志設計研發完成，并于2020-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本等離子體蝕刻裝置和等離子體蝕刻方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種等離子體蝕刻裝置和等離子體蝕刻方法，能夠改善通過蝕刻形成的孔的形狀。該等離子體蝕刻裝置具備處理容器、載置臺、氣體供給部、第一高頻電源、第二高頻電源以及控制裝置。載置臺設置于處理容器內，用于載置基板。氣體供給部向處理容器內供給處理氣體。第一高頻電源向處理容器內供給第一高頻電力，由此使處理氣體等離子體化。第二高頻電源向載置臺供給頻率比第一高頻電力的頻率低的第二高頻電力。控制裝置在每個規定周期控制第一高頻電力和第二高頻電力的供給及供給停止。另外，排他地供給第一高頻電力和第二高頻電力。另外，第一高頻電力的供給及供給停止的每一個周期內的供給時間的比例比第二高頻電力的該供給時間的比例低。

本發明授權等離子體蝕刻裝置和等離子體蝕刻方法在權利要求書中公布了：1.一種等離子體蝕刻裝置，具備： 處理容器； 載置臺，其設置于所述處理容器內，載置層疊有作為蝕刻對象的膜的基板； 氣體供給部，其向所述處理容器內供給處理氣體； 第一高頻電源，其向所述處理容器內供給第一高頻電力，由此使被供給至所述處理容器內的所述處理氣體等離子體化； 第二高頻電源，其向所述載置臺供給頻率比所述第一高頻電力的頻率低的第二高頻電力；以及 控制裝置，其控制所述第一高頻電力和所述第二高頻電力的供給及供給停止， 其中，所述控制裝置在每個規定周期控制所述第一高頻電力和所述第二高頻電力的供給及供給停止， 排他地供給所述第一高頻電力和所述第二高頻電力，以使得在單個周期內，在供給所述第一高頻電力和所述第二高頻電力中的一個的時間段內，不供給所述第一高頻電力和所述第二高頻電力中的另一個， 所述第一高頻電力的供給及供給停止的每一個周期內的供給時間的比例比所述第二高頻電力的供給及供給停止的每一個周期內的供給時間的比例低。

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