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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114171459B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010955120.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由金吉松;亞伯拉罕·庾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一區(qū)；在第一區(qū)上形成第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)；在第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)上形成第一阻擋層；對(duì)第一阻擋層進(jìn)行改性處理，形成改性層；在改性層上形成第一擴(kuò)散層，第一擴(kuò)散層內(nèi)具有極化原子；對(duì)第一擴(kuò)散層和第二擴(kuò)散層進(jìn)行退火處理，驅(qū)動(dòng)位于第一擴(kuò)散層內(nèi)的極化原子擴(kuò)散至第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)，形成第一極化層。通過對(duì)第一阻擋層進(jìn)行改性處理，形成改性層，形成的改性層能夠增強(qiáng)或減弱對(duì)極化原子的阻擋作用，從而避免了利用對(duì)第一阻擋層的堆疊層數(shù)來調(diào)節(jié)對(duì)極化原子的阻擋效果，簡(jiǎn)化了制程步驟，同時(shí)也避免了第一阻擋層的堆疊層數(shù)過多而較難填入到相鄰的鰭部結(jié)構(gòu)之間的問題，有效提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)； 在所述第一區(qū)上形成第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)； 在所述第二區(qū)上形成第二柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)； 在所述第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)上形成第一阻擋層； 在所述第二柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)上形成第二阻擋層； 對(duì)所述第一阻擋層進(jìn)行改性處理，形成改性層； 在所述改性層上形成第一擴(kuò)散層，所述第一擴(kuò)散層內(nèi)具有極化原子； 在所述第二阻擋層上形成第二擴(kuò)散層，所述第二擴(kuò)散層內(nèi)具有所述極化原子； 對(duì)所述第一擴(kuò)散層和所述第二擴(kuò)散層進(jìn)行退火處理，驅(qū)動(dòng)位于所述第一擴(kuò)散層內(nèi)的所述極化原子擴(kuò)散至所述第一柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)，形成第一極化層，驅(qū)動(dòng)位于所述第二擴(kuò)散層內(nèi)的所述極化原子擴(kuò)散至所述第二柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)，形成第二極化層； 在形成第一極化層之后，在所述第一區(qū)上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)具有第一源漏摻雜層，在所述第一區(qū)上形成第一晶體管結(jié)構(gòu)； 在形成第二極化層之后，在所述第二區(qū)上形成第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)具有第二源漏摻雜層，在所述第二區(qū)上形成第二晶體管結(jié)構(gòu)。

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