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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114188276B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010963310.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由紀(jì)世良;肖杏宇;張海洋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-14向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成若干分立的納米結(jié)構(gòu)，相鄰的納米結(jié)構(gòu)之間具有凹槽；在襯底上形成第一介質(zhì)層和初始隔離結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)層的頂部表面低于所述納米結(jié)構(gòu)的頂部表面，且所述第一介質(zhì)層位于所述初始隔離結(jié)構(gòu)部分側(cè)壁表面，所述初始隔離結(jié)構(gòu)位于至少一個(gè)所述凹槽內(nèi)；對(duì)第一介質(zhì)層暴露出的所述初始隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成隔離結(jié)構(gòu)。所述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能得到提升。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底上形成若干分立的納米結(jié)構(gòu)，相鄰的納米結(jié)構(gòu)之間具有凹槽，所述納米結(jié)構(gòu)包括：第一區(qū)、位于第一區(qū)上的第二區(qū)以及位于第二區(qū)上的第三區(qū)，所述第一區(qū)包括底層納米線，所述第二區(qū)包括若干復(fù)合層，所述復(fù)合層包括犧牲層和位于犧牲層上的納米線； 在襯底上形成第一介質(zhì)層和初始隔離結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)層的頂部表面低于所述納米結(jié)構(gòu)的頂部表面，且所述第一介質(zhì)層位于所述初始隔離結(jié)構(gòu)部分側(cè)壁表面，所述初始隔離結(jié)構(gòu)位于至少一個(gè)所述凹槽內(nèi)； 對(duì)第一介質(zhì)層暴露出的所述初始隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成隔離結(jié)構(gòu)； 在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述納米結(jié)構(gòu)，且所述隔離結(jié)構(gòu)隔離相鄰的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)還位于相鄰的納米線之間以及納米線和底層納米線之間。

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