艾普諾瓦泰克公司馬丁·安德烈亞斯·奧爾松獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉艾普諾瓦泰克公司申請的專利單片微波集成電路前端模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115053337B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180013397.6，技術領域涉及：H10D84/08；該發明授權單片微波集成電路前端模塊是由馬丁·安德烈亞斯·奧爾松設計研發完成，并于2021-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本單片微波集成電路前端模塊在說明書摘要公布了：提供了一種單片微波集成電路MMIC前端模塊100，該MMIC前端模塊包括：由硅襯底120支撐的氮化鎵結構110；具有發射模式和接收模式的硅基發射接收開關130；發射放大器112，該發射放大器被配置為對要由所述MMIC前端模塊發射的傳出信號進行放大，其中，所述發射放大器電連接132到所述發射接收開關，其中，所述發射放大器包括形成在所述氮化鎵結構中的氮化鎵高電子遷移率晶體管HEMT114；以及接收放大器113，該接收放大器被配置為對由所述MMIC前端模塊接收的傳入信號進行放大，其中，所述接收放大器電連接133到所述發射接收開關，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化鎵結構中的氮化鎵HEMT115。
本發明授權單片微波集成電路前端模塊在權利要求書中公布了：1.一種單片微波集成電路MMIC前端模塊，包括： 由硅襯底支撐的氮化鎵結構，其中，由所述硅襯底支撐的所述氮化鎵結構包括第一氮化鎵島和第二氮化鎵島，其中，所述第一氮化鎵島和所述第二氮化鎵島物理分離并橫向共同布置在該硅襯底上； 具有發射模式和接收模式的硅基發射接收開關； 發射放大器，該發射放大器被配置為對要由所述MMIC前端模塊發射的傳出信號進行放大，其中，所述發射放大器電連接到所述發射接收開關，其中，所述發射放大器包括形成在所述氮化鎵結構中的氮化鎵高電子遷移率晶體管HEMT；以及 接收放大器，該接收放大器被配置為對由所述MMIC前端模塊接收的傳入信號進行放大，其中，所述接收放大器電連接到所述發射接收開關，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化鎵結構中的氮化鎵HEMT。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾普諾瓦泰克公司，其通訊地址為：瑞典隆德；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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