漢陽大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)鄭在景獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉漢陽大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)申請(qǐng)的專利包括結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115088083B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202180014080.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)包括結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管及其制造方法是由鄭在景;溫努日;金洸福設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-16向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本包括結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體和包括該結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括：柵極；與柵極的上部或下部重疊并具有六方晶粒的結(jié)晶In?Zn?Sn氧化物IZTO溝道層；設(shè)置在柵極和IZTO溝道層之間的柵絕緣膜，以及連接至IZTO溝道層的各端的源極和漏極。
本發(fā)明授權(quán)包括結(jié)晶IZTO氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管，包括： 柵極； 結(jié)晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）溝道層，所述結(jié)晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）溝道層與所述柵極的上部或下部重疊并具有六方晶粒； 柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述柵極和所述IZTO溝道層之間；以及 源極和漏極，所述源極和漏極分別連接至所述IZTO溝道層的兩端， 其中所述六方晶粒是具有ZnOkIn2O3相的晶粒，其中k為3至11的整數(shù)，以及 其中所述IZTO溝道層還具有作為亞固相的xZnIn2O4-1-xZn2SnO4，xZnIn2O4-1-xZn2SnO4為尖晶石相，其中0x0.45。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人漢陽大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)，其通訊地址為：韓國首爾；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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