長鑫存儲技術(shù)有限公司李雄獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利OTP存儲器及其制造方法、OTP電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115240746B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110444444.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C17/16；該發(fā)明授權(quán)OTP存儲器及其制造方法、OTP電路是由李雄;朱黃霞;馮鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本OTP存儲器及其制造方法、OTP電路在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环NOTP存儲器及其制造方法、OTP電路，通過OTP存儲器中的存儲單元使用兩個串聯(lián)二極管作為熔斷的結(jié)構(gòu)，從而減少了存儲單元的體積、減少整個OTP存儲器的體積，進(jìn)而提高了存儲單元以及OTP存儲器的集積度。
本發(fā)明授權(quán)OTP存儲器及其制造方法、OTP電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種OTP存儲器，其特征在于，包括： 第一有源區(qū)、第二有源區(qū)，以及設(shè)置在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)之間的隔離區(qū)；所述第一有源區(qū)為P型阱，所述第二有源區(qū)為N型阱； 所述第一有源區(qū)上設(shè)置有第一擴(kuò)散區(qū)，用于連接第一連接線；所述第一擴(kuò)散區(qū)為N型擴(kuò)散區(qū)； 所述第二有源區(qū)上設(shè)置有第二擴(kuò)散區(qū)，用于連接第二連接線；所述第二擴(kuò)散區(qū)為N型擴(kuò)散區(qū)； 其中，所述第一有源區(qū)和所述第一擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成第一二極管；所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)構(gòu)成第二二極管； 所述第一二極管的擊穿電壓，小于所述第二二極管的擊穿電壓。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230011 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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