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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體元件及半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171590B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110835837.8，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體元件及半導體裝置是由巖鍜治陽子;末代知子;系數裕子;河村圭子;布施香織;罇貴子設計研發完成，并于2021-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體元件及半導體裝置在說明書摘要公布了：實施方式提供能夠減小開關損耗的半導體元件以及使用了該半導體元件的半導體裝置。實施方式的半導體元件具備半導體部、設置在半導體部的表面上的第1電極、設置在半導體部的背面上的第2電極、在半導體部的背面上與第2電極分離設置的第3電極、以及設置在半導體部與第1電極之間的控制電極。半導體部包括第1導電型的第1層、第2導電型的第2層、第1導電型的第3層和第2導電型的第4層。第2層設置在第1層與第1電極之間，隔著第1絕緣膜與控制電極相對。第3層被選擇性地設置在第2層與第1電極之間，與第1電極電連接。第4層設置在第2電極與第1層之間，與第2電極電連接。第1層在半導體部的背面與第3電極連接。

本發明授權半導體元件及半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件，其中，具備： 半導體部； 第1電極，設置在所述半導體部的表面上； 第2電極，設置在所述半導體部的背面上； 第3電極，在所述半導體部的背面上與所述第2電極分離設置；以及 第1控制電極，設置在所述半導體部與所述第1電極之間，與所述半導體部通過第1絕緣膜電絕緣，與所述第1電極通過第2絕緣膜電絕緣， 所述半導體部包括第1導電型的第1半導體層、第2導電型的第2半導體層、所述第1導電型的第3半導體層以及所述第2導電型的第4半導體層， 所述第1半導體層在所述第1電極與所述第2電極之間以及所述第1電極與所述第3電極之間延伸， 所述第2半導體層設置在所述第1半導體層與所述第1電極之間，隔著所述第1絕緣膜而與所述控制電極相對， 所述第3半導體層被選擇性地設置在所述第2半導體層與所述第1電極之間，與所述第1絕緣膜相接，與所述第1電極電連接， 所述第4半導體層設置在所述第2電極與所述第1半導體層之間，與所述第2電極直接接觸且電連接， 所述第1半導體層在所述半導體部的所述背面與所述第3電極電連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。