中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115692416B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110863302.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/83;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由王楠設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-07-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了:一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,其中結(jié)構(gòu)包括:襯底,所述襯底上具有若干鰭部;位于襯底上的第一柵極結(jié)構(gòu);位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏摻雜層;位于襯底上的介質(zhì)結(jié)構(gòu),介質(zhì)結(jié)構(gòu)高于第一柵極結(jié)構(gòu);位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一開口;位于第一開口內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu);位于介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的柵極導(dǎo)電開口;位于柵極導(dǎo)電開口內(nèi)的柵極導(dǎo)電層,柵極導(dǎo)電層與第一柵極結(jié)構(gòu)電連接。利用所述隔離結(jié)構(gòu)作為形成的柵極導(dǎo)電開口的自對準(zhǔn)膜層,有效提升了柵極導(dǎo)電開口形成的精準(zhǔn)性,降低了電路短接問題的發(fā)生,以此提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 襯底,所述襯底上具有若干平行于第一方向的鰭部; 位于所述襯底上的隔離層,所述隔離層覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁,且所述隔離層的頂部表面低于所述鰭部的頂部表面; 位于所述隔離層上的第一柵極結(jié)構(gòu),所述第一柵極結(jié)構(gòu)沿第二方向橫跨若干所述鰭部,所述第一方向與所述第二方向垂直; 位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻; 位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部內(nèi)的源漏摻雜層; 若干源漏導(dǎo)電層,所述源漏導(dǎo)電層連接所述第一柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的若干所述源漏摻雜層,所述第一柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面高于所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面; 位于所述隔離層上的介質(zhì)結(jié)構(gòu),所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述源漏導(dǎo)電層,且所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的頂部表面高于所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面; 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一開口,所述第一開口沿所述第一方向貫穿所述第一柵極結(jié)構(gòu),且暴露出部分所述隔離層; 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)的第二開口,所述第二開口暴露出所述源漏導(dǎo)電層的頂部表面; 位于所述第一開口和所述第二開口內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)的材料與所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料不同; 位于所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)且分別與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰的柵極導(dǎo)電開口,所述柵極導(dǎo)電開口暴露出所述第一柵極結(jié)構(gòu)部分頂部表面、以及所述隔離結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁; 位于所述柵極導(dǎo)電開口內(nèi)的柵極導(dǎo)電層,所述柵極導(dǎo)電層與所述第一柵極結(jié)構(gòu)電連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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