買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115915750B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110934847.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備及制備方法是由盧經(jīng)文設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備及制備方法在說明書摘要公布了：本公開公開了一種半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備及制備方法，通過在半導(dǎo)體襯底上先形成字線溝槽，之后在字線溝槽中形成字線結(jié)構(gòu)，之后再形成有源區(qū)。這樣可以使字線溝槽穿過半導(dǎo)體襯底，而不需要使字線溝槽穿過其他材料。由于半導(dǎo)體襯底的材料均一，從而不存在刻蝕選擇比的問題，進(jìn)而使形成的字線溝槽的底面可以平整。在字線溝槽中形成字線結(jié)構(gòu)時(shí)，可以使字線結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底直接接觸，而不需要使字線結(jié)構(gòu)與其他材料進(jìn)行接觸，從而可以使字線結(jié)構(gòu)的底面可以平整，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括： 在半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)字線溝槽；其中，所述字線溝槽沿第一方向延伸； 在各所述字線溝槽內(nèi)形成字線結(jié)構(gòu)；其中，所述字線結(jié)構(gòu)的頂面和所述半導(dǎo)體襯底的頂面齊平； 在所述半導(dǎo)體襯底的頂面上形成多個(gè)有源區(qū)掩膜結(jié)構(gòu)；其中，所述有源區(qū)掩膜結(jié)構(gòu)在所述半導(dǎo)體襯底中界定出有源區(qū)，且所述有源區(qū)掩膜結(jié)構(gòu)在所述半導(dǎo)體襯底的底面的正投影沿第二方向延伸且穿過所述字線結(jié)構(gòu)在所述半導(dǎo)體襯底的底面的正投影； 以所述有源區(qū)掩膜結(jié)構(gòu)為刻蝕掩膜，對所述字線結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，形成有源區(qū)和穿過所述有源區(qū)的埋入式字線。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長鑫存儲技術(shù)有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。