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龍圖騰網獲悉浙江大學杭州國際科創中心申請的專利碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300374B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111630451.X，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法是由盛況;鐘浩;任娜;王珩宇設計研發完成，并于2021-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法在說明書摘要公布了：碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法，屬于半導體技術領域，包括以下步驟：使用光譜橢偏儀測量碳化硅上介質層的介質膜厚H1，并通過公式計算得到介質膜厚的評價函數MSE1；制作掩膜層，使用臺階儀量測掩膜層厚度Ht；基于所述步驟S2量測的掩膜層厚度Ht，使用光譜橢偏儀測量掩膜層厚度Hy，并通過公式計算得到所述掩膜層厚度的評價函數MSEy；刻蝕含有掩膜的碳化硅上介質層，使用臺階儀量測刻蝕后臺階深度Het，使用橢偏儀測量刻蝕后掩膜層厚度Hey；根據公式計算刻蝕選擇比。本方法使刻蝕過程中的碳化硅上掩膜層的厚度量測更加精確，從而使碳化硅上的介質層相對于掩膜層的選擇比刻蝕工藝調試結果更加具有可信度。

本發明授權碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法在權利要求書中公布了：1.碳化硅介質層的刻蝕選擇比量測方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S1：使用光譜橢偏儀測量碳化硅上介質層的介質膜厚H1，并通過公式計算得到介質膜厚的評價函數MSE1； 步驟S2：制作掩膜層，使用臺階儀量測掩膜層厚度Ht； 步驟S3：基于所述步驟S2量測的掩膜層厚度Ht，使用光譜橢偏儀測量掩膜層厚度Hy，并通過公式計算得到所述掩膜層厚度的評價函數MSEy； 步驟S4：刻蝕含有掩膜的碳化硅上介質層，使用臺階儀量測刻蝕后臺階深度Het，使用橢偏儀測量刻蝕后掩膜層厚度Hey，同時根據公式計算得到刻蝕后掩膜層厚度的評價函數MSEey； 步驟S5：根據公式計算刻蝕選擇比； 所述評價函數MSE計算公式為： ； N=cos（2φ）； C=cos（2φ）cos（Δ）； S=sin（2φ）sin（Δ）； 其中，n為測量波長的數量；m為擬合參數的數量，E為測量點的數據；G為對應擬合點的數據；Δ和φ為通過光譜橢偏儀檢測出的數據，Δ為相位變化，φ為振幅衰減； 所述步驟S1中的介質膜厚H1的評價函數MSE1的數值須小于20； 所述步驟S3中光譜橢偏儀測量得到的掩膜層厚度Hy與臺階儀測量得到掩膜厚度Ht滿足公式： |Ht-Hy|Ht≤2%， 且掩膜層厚度Hy的評價函數的數值須小于20； 所述步驟S4中測得的刻蝕后掩膜層厚度Hey的評價函數MSEey的數值須小于20； 所述刻蝕選擇比計算公式為：Het-Hey（Hy-Hey）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學杭州國際科創中心，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區建設三路733號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。