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龍圖騰網獲悉山東華芯半導體有限公司申請的專利一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115631781B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211276669.4，技術領域涉及：G11C16/26；該發明授權一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法是由蔣書斌;曹成;沈力設計研發完成，并于2022-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法，減少了Block讀取錯誤數。包括確定SSD的基本參數；根據磨損程度的不同對Block進行一次分組，再根據一級分組結果，按照SSD工作溫度范圍進行二次分組；將每個Block根據最長間隔寫入時間分批次寫入，寫入后根據讀取刷新時間進行刷新；將寫滿的Block，以寫滿時的時間開始計時，一定時間，選取對應的讀取電壓軸讀取Block；再使用廠商給出的其他讀取電壓軸讀取Block，并進行比較，若使用每個Block使用的不同磨損程度和不同保存時間選取對應的讀取電壓軸讀取Block滿足糾錯要求，則使用原讀取電壓軸；若不能，則篩選出一組其他讀取電壓軸讀取Block。本申請提高了對一次性未寫滿Block數據讀取的準確性，減少錯誤數。

本發明授權一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法在權利要求書中公布了：1.一種針對未一次性寫滿的Block選取最優讀電壓軸的方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1：確定SSD的NANDFlash工作溫度范圍、讀取刷新時間、不同磨損程度和不同保存時間下的讀取電壓軸、最長間隔寫入時間以及最長寫滿的時間； 步驟2：根據磨損程度的不同對Block進行一次分組得到i個一級分組； 步驟3：再根據一級分組結果，依據NANDFlash工作溫度范圍進行二次分組，每個一級分組再分為j個二級分組； 步驟4：將每個Block根據最長間隔寫入時間分批次寫入，并保證總的寫入時間不超過最長寫滿的時間；每次寫入前都使用正常電壓軸或原電壓軸讀取一次Block的存儲內容；每次寫入后，根據讀取刷新時間進行刷新； 步驟5：將寫滿的Block，以寫滿時的時間開始計時，經過人為設定的保存時間，根據每個Block使用的不同磨損程度和不同保存時間選取對應的讀取電壓軸讀取Block；再使用廠商給出的其他讀取電壓軸讀取Block； 步驟6：比較步驟5使用的讀取電壓軸所讀取的數值與寫入的數據，若使用每個Block使用的不同磨損程度和不同保存時間選取對應的讀取電壓軸讀取Block滿足糾錯要求，則使用原讀取電壓軸；若不能，則篩選出一組其他讀取電壓軸讀取Block； 步驟7：若篩選不到，則降低最長間隔寫入時間以及最長填滿的時間，并重復步驟2至6。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東華芯半導體有限公司，其通訊地址為：250101 山東省濟南市高新區經十東路漢峪金谷A2-3第16層1601室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。