北京大學彭超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115639630B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211336224.0，技術領域涉及：G02B1/00；該發明授權一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器及其應用是由彭超;張子璇設計研發完成，并于2022-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器及其應用在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器及其應用，屬于光電子、光通信、無線通信領域，包括上介質層、下介質層以及位于所述上介質層和下介質層中間的光子晶體層；所述光子晶體層含有沿一維或二維方向周期性排列的孔槽；光子晶體層結構具有拓撲保護特性，形成共振腔；經過所述光子晶體層的光受拓撲保護，在所述共振腔產生多個共振態，并向所述光子晶體層的上表面輻射到所述上介質層，以及向所述光子晶體層的下表面輻射到所述下介質層，其中波矢為k的共振態具有單向輻射的特性，僅向所述光子晶體層的上表面或下表面輻射。本相移器運用高度定向輻射共振態，實現相位調制并保持強度響應平坦。
本發明授權一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器及其應用在權利要求書中公布了：1.一種基于單向輻射共振態的強度平坦的相移器，其特征在于，包括上介質層、下介質層以及位于所述上介質層和下介質層中間的光子晶體層；所述光子晶體層含有沿一維或二維方向周期性排列的孔槽；光子晶體層結構具有拓撲保護特性，形成共振腔；經過所述光子晶體層的光受拓撲保護，在所述共振腔產生多個共振態，并向所述光子晶體層的上表面輻射到所述上介質層，以及向所述光子晶體層的下表面輻射到所述下介質層，其中波矢為k的共振態具有單向輻射的特性，在光子晶體層的上表面和下表面具有不對稱輻射比，僅向所述光子晶體層的上表面或下表面輻射，通過改變光子晶體層的厚度、周期、占空比以及孔槽的形狀以調節共振態向上表面和下表面的輻射比。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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