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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學;中國航空工業集團公司濟南特種結構研究所申請的專利一種寬頻帶吸透一體化頻選表面獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115732934B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211378444.X，技術領域涉及：H01Q15/00；該發明授權一種寬頻帶吸透一體化頻選表面是由吳邊;毛思博;龐曉宇;趙生輝;蘇濤設計研發完成，并于2022-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種寬頻帶吸透一體化頻選表面在說明書摘要公布了：本發明涉及一種寬頻帶吸透一體化頻選表面，包括：第一損耗層，用于對中、高頻部分的寬帶透波和低頻部分的吸波，所述第一損耗層包括陣列排布的m×n個第一單元；第一泡沫基板，位于所述第一損耗層之下；第二損耗層，位于所述第一泡沫基板之下，用于對中頻部分的透波和高頻部分的吸波，所述第二損耗層包括陣列排布的m×n個第二單元；第二泡沫基板，位于所述第二損耗層之下；帶通頻選層，位于所述第二泡沫基板之下，用于對中頻的寬帶透波以及為低頻和高頻的吸波提供地板，所述帶通頻選層包括陣列排布的m×n個第三單元。本發明的寬頻帶吸透一體化頻選表面在實現寬頻吸透響應的同時實現寬透波帶的低插損響應。

本發明授權一種寬頻帶吸透一體化頻選表面在權利要求書中公布了：1.一種寬頻帶吸透一體化頻選表面，其特征在于，所述寬頻帶吸透一體化頻選表面包括： 第一損耗層，用于對中、高頻部分的寬帶透波和低頻部分的吸波，所述第一損耗層包括陣列排布的m×n個第一單元； 第一泡沫基板，位于所述第一損耗層之下； 第二損耗層，位于所述第一泡沫基板之下，用于對中頻部分的透波和高頻部分的吸波，所述第二損耗層包括陣列排布的m×n個第二單元； 第二泡沫基板，位于所述第二損耗層之下； 帶通頻選層，位于所述第二泡沫基板之下，用于對中頻的寬帶透波以及為低頻和高頻的吸波提供地板，所述帶通頻選層包括陣列排布的m×n個第三單元； 每個所述第一單元包括第一方形介質板、四個繞線電感、四個電容條帶、八個電容通孔和第一石墨烯方阻片，其中： 所述四個繞線電感嵌入在所述第一方形介質板中，所述四個電容條帶和所述第一石墨烯方阻片位于所述第一方形介質板遠離所述第一泡沫基板的一面； 所述四個電容條帶與所述第一石墨烯方阻片的四邊對應設置，每個所述電容條帶的兩端設置有貫穿所述第一方形介質板的電容通孔； 每個所述繞線電感的一端與所述第一石墨烯方阻片的一邊相連接，另一端通過過孔與所述電容條帶相連通。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學;中國航空工業集團公司濟南特種結構研究所，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。