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龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路及補償方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115798532B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211418384.X，技術領域涉及：G11C7/18；該發明授權一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路及補償方法是由胡薇;趙夢怡;彭春雨;盧文娟;戴成虎;郝禮才;吳秀龍設計研發完成，并于2022-11-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路及補償方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路及補償方法。該位線泄漏電流補償和BCAM復用電路包括由多個SRAM單元組成的存儲陣列以及補償模塊；每列SRAM單元共享位線且構成一個基本的存儲模塊；補償模塊包括8個PMOS管P0～P7和2個補償電容C1、C2；P0、P1、P2、P3的漏極作為補償模塊的四個輸入端與存儲模塊的四條位線相接；C1、C2的上極板連接端out、outb作為存儲模塊執行正常讀寫操作時的結果輸出端；C1、C2的下極板連接端bout、boutb作為存儲模塊執行BCAM尋址操作時的結果輸出端。本發明涉及的補償模塊能夠減少因漏電流存在而導致尋址或讀取錯誤的情況。

本發明授權一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路及補償方法在權利要求書中公布了：1.一種位線泄漏電流補償和BCAM復用電路，其特征在于，其包括由多個SRAM單元組成的存儲陣列以及補償模塊；每列SRAM單元共享位線且構成一個基本的存儲模塊，所述補償模塊用于補償所述存儲模塊的位線泄漏電流；所述補償模塊包括8個PMOS管P0~P7和2個補償電容C1、C2； C1的上極板與P0、P6的漏極連接，下極板與P4、P2的漏極連接；C2的上極板與P1、P7的漏極連接，下極板與P5、P3的漏極連接；P4~P7的源極接電源VDD；P0~P3的柵極受控制信號V1控制，P4、P5的柵極受控制信號V2控制，P6、P7的柵極受控制信號M1控制；P0、P1的漏極作為補償模塊的其中兩個輸入端；P2、P3的漏極作為補償模塊的另外兩個輸入端，分別接所述存儲模塊兩側的位線BL、BLB、BL1、BLB1； 其中，C1、C2的上極板連接端out、outb作為所述存儲模塊執行正常讀寫操作時經過泄漏補償后的輸出端；C1、C2的下極板連接端bout、boutb作為所述存儲模塊執行BCAM尋址操作時經過泄漏補償后的輸出端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。