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龍圖騰網獲悉恒泰柯半導體(上海)有限公司申請的專利一種溝槽型碳化硅MOSFET器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115832058B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211615689.X，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種溝槽型碳化硅MOSFET器件是由羅志云;潘夢渝;王飛設計研發完成，并于2022-12-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種溝槽型碳化硅MOSFET器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種溝槽型碳化硅MOSFET器件。器件包括溝槽區底部的重摻雜第二導電類型異質材料區以及溝槽區與第一導電類型半導體漂移區之間的重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層和輕摻雜第一導電類型半導體區；重摻雜第二導電類型異質材料區位于溝槽區底部并與重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層和輕摻雜第一導電類型半導體區接觸；輕摻雜第一導電類型半導體區的側壁與重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層接觸。采用上述方案，能夠實現器件的低壓導通，降低導通損耗，提升擊穿電壓，減小反向漏電；另外也可優化雪崩路徑，提高器件的雪崩耐量，提升器件可靠性；同時還提升了器件的第三象限導通性能和可靠性。

本發明授權一種溝槽型碳化硅MOSFET器件在權利要求書中公布了：1.一種溝槽型碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 由下至上層疊設置的金屬化漏極2、重摻雜第一導電類型半導體襯底1、輕摻雜第一導電類型半導體漂移區3以及金屬化源極4；所述輕摻雜第一導電類型半導體漂移區3和所述金屬化源極4之間還包括第一導電類型半導體電流擴展區5、第二導電類型半導體體區6、重摻雜第二導電類型半導體接觸區7和重摻雜第一導電類型半導體源區8；所述第一導電類型半導體電流擴展區5與所述輕摻雜第一導電類型半導體漂移區3接觸，所述重摻雜第二導電類型半導體接觸區7和重摻雜第一導電類型半導體源區8均與所述金屬化源極4歐姆接觸； 所述溝槽型碳化硅MOSFET器件還包括溝槽區9，所述溝槽區9由所述重摻雜第一導電類型半導體源區8朝向所述金屬化源極4的一側表面向下延伸至所述第一導電類型半導體電流擴展區5；所述溝槽區9的部分側壁設置有柵介質層10，所述柵介質層10分別與所述重摻雜第一導電類型半導體源區8、所述第二導電類型半導體體區6和部分所述第一導電類型半導體電流擴展區5接觸； 所述溝槽區9與所述第一導電類型半導體漂移區3之間還設置有重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層11和輕摻雜第一導電類型半導體區12；所述溝槽區9內部設置有相互絕緣的重摻雜第二導電類型異質材料區13和重摻雜第一導電類型多晶硅柵電極區14；所述重摻雜第二導電類型異質材料區13與所述金屬化源極4電性連接，所述重摻雜第二導電類型異質材料區13位于所述溝槽區9底部并與所述重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層11和輕摻雜第一導電類型半導體區12接觸；所述輕摻雜第一導電類型半導體區12的側壁與所述重摻雜第二導電類型半導體屏蔽層11接觸；其中，形成所述重摻雜第二導電類型異質材料區13的異質材料的禁帶寬度小于碳化硅的禁帶寬度。

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