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龍圖騰網(wǎng)獲悉中環(huán)領先半導體科技股份有限公司申請的專利一種外延片及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN118854456B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202410231307.6，技術領域涉及：C30B29/38；該發(fā)明授權一種外延片及其制備方法是由王彥君;黃飛;杜飛;羅永恒;謝路肖;王洪朝;吳秀秀;陳海波設計研發(fā)完成，并于2024-02-29向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種外延片及其制備方法。該外延片制備方法，包括：提供異質(zhì)結(jié)外延層；在異質(zhì)結(jié)外延層上形成帽層，得到外延片；帽層包括依次層疊設置的第一子層、第二子層以及第三子層，第一子層與異質(zhì)結(jié)外延層貼合。本申請通過在異質(zhì)結(jié)外延層上制備帽層，帽層包括依次層疊設置的第一子層、第二子層以及第三子層；其中第一子層可以減小帽層中的鎂原子向異質(zhì)結(jié)外延層擴散；第二子層可以彌補第一子層在退火時鎂原子的擴散損傷；因此，本申請通過將帽層設置為層疊設置的第一子層、第二子層以及第三子層，可以有效改善目前常規(guī)帽層中鎂原子擴散引起的二維電子氣損傷問題，以及帽層中空穴濃度下降和不均勻的問題。

本發(fā)明授權一種外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種外延片制備方法，其特征在于，包括： 提供異質(zhì)結(jié)外延層100； 在所述異質(zhì)結(jié)外延層100上形成帽層200，得到外延片300； 所述帽層200包括依次層疊設置的第一子層201、第二子層202以及第三子層203，所述第一子層201與所述異質(zhì)結(jié)外延層100貼合； 在所述異質(zhì)結(jié)外延層100上形成帽層200，包括： 向反應腔內(nèi)通入第一鎵源和第一氮源，在所述異質(zhì)結(jié)外延層100上生長氮化鎵層； 關閉所述第一鎵源，通入第一鎂源對所述氮化鎵層進行摻雜，在所述異質(zhì)結(jié)外延層100上生長所述第一子層201，在所述生長所述第一子層201的過程中，所述第一鎂源具有第一氣流量Q1； 對所述第一子層201進行第一次退火處理； 同時向所述反應腔內(nèi)通入第二鎵源、第二氮源和第二鎂源，在所述第一子層201上生長所述第二子層202，在所述生長所述第二子層202的過程中，所述第二鎂源具有第二氣流量Q2，滿足：1≤Q2Q1≤2； 同時向所述反應腔內(nèi)通入第三鎵源、第三氮源和第三鎂源，在所述第二子層202上生長所述第三子層203，在所述生長所述第三子層203的過程中，所述第三鎂源具有第三氣流量Q3，滿足：0.5≤Q3Q1≤1.2。

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